型号：D1980
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：10A @ TC=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：40A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=10V, ID=5A
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=4.5V, ID=5A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：1980pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：540pF
　　反向传输电容(Crss)：70pF
　　二极管正向电流(IS)：3A
　　功率耗散(PD)：100W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252(DPAK)

D1980采用了罗姆专有的沟槽栅极结构技术，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了器件在大电流条件下的效率表现。其低RDS(on)特性使得在高负载情况下功耗更小，减少了发热问题，特别适用于对热管理要求严格的紧凑型电源设计。同时，该MOSFET在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（23mΩ），表明其具有良好的低压驱动能力，适合使用3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具备优异的开关特性，输入电容和反向传输电容均经过优化，有效抑制了米勒效应引起的误触发现象，提高了在高频开关应用中的稳定性。其Crss值仅为70pF，有助于降低开关过程中的能量损耗，提升系统整体效率。此外，D1980内置的体二极管具有较快的反向恢复速度，能够在同步整流等应用中减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，进一步增强系统可靠性。
　　热性能方面，D1980采用TO-252封装，具有较大的散热片和良好的热传导路径，能够有效地将内部热量传递至PCB或外部散热器，支持高达100W的功率耗散能力。这使其可以在持续高负载条件下稳定运行。同时，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境温度变化，满足工业级应用的需求。
　　安全性方面，D1980具备过压保护能力，最大栅源电压可达±20V，避免因驱动信号波动导致的栅极击穿风险。其高雪崩能量承受能力也保证了在突发断路或感性负载切换时不会轻易损坏，提高了系统的鲁棒性。综合来看，D1980是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。

D1980广泛应用于各类中高功率直流电源系统，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、负载开关模块以及电池管理系统（BMS）。在通信设备、工业自动化控制系统、家用电器电源板以及电动工具驱动电路中均有成熟应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电源设计的理想选择。
　　在便携式电子产品如笔记本电脑、平板电源管理单元中，D1980可用于主电源路径的通断控制，实现低静态功耗和高效能转换。同时，它也可作为电机驱动电路中的上桥或下桥开关元件，用于控制直流电机、步进电机等负载的启停与转向，表现出优异的动态响应能力。
　　在新能源领域，该器件可应用于太阳能逆变器、LED驱动电源及电动车充电模块中的辅助电源部分。其宽温度工作范围和高可靠性确保在户外或高温环境下依然稳定运行。此外，D1980还适用于各种热插拔电路和电源冗余设计，提供快速响应的过流保护和安全断开机制。

RJK0630DPB
　　FQP10N60
　　IPD95R1P05S