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D16N05L 发布时间 时间:2025/12/29 14:24:59 查看 阅读:12

D16N05L是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关性能的特点。D16N05L广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各种电源管理设备中。该MOSFET封装为SOP(小外形封装),适合表面贴装工艺,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):16A
  导通电阻(Rds(on)):0.27Ω(最大)
  栅极电压(Vgs):±30V
  功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOP

特性

D16N05L具有多项优异的电气和物理特性,首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率,适用于高功率密度设计。其次,该器件的最大漏源电压为500V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于多种电源转换拓扑结构,如反激式、正激式和LLC谐振变换器。
  D16N05L采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供优异的开关性能,包括快速开关速度和低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高系统效率。同时,其栅极电压容限为±30V,增强了器件在复杂电磁环境下的抗干扰能力,提高了系统稳定性。
  此外,D16N05L的SOP封装形式不仅体积小巧,适合高密度PCB布局,而且具有良好的热传导性能,便于散热设计。其表面贴装封装也简化了自动化生产流程,提高了生产效率和可靠性。
  该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种严苛环境下的工业、通信和消费类电源系统。综合来看,D16N05L是一款性能优良、可靠性高的功率MOSFET,非常适合用于高效能电源管理应用。

应用

D16N05L广泛应用于各类电源管理系统中,例如AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、LED照明驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高压能力和高效率特性,D16N05L也非常适合用于电信设备和服务器电源等高可靠性应用场景。

替代型号

TK16A50D,T16N50,T16N50K,TK16A50X,T16N50M

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