类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤32mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤45mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

D15N03 MOSFET具有多项优良的电气和物理特性，使其在众多功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。在Vgs为10V时，Rds(on)最大仅为32mΩ，而在较低的栅极电压4.5V下，Rds(on)也仅为45mΩ，这使得该器件在使用逻辑电平驱动的应用中也具有良好的性能。
　　其次，D15N03具备高达15A的连续漏极电流能力，使其适用于高负载电流的场景，如电源供应器、电机驱动和负载开关。同时，其最大漏源电压为30V，适用于12V、24V等常见电源系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在±20V之间工作，提高了其在不同控制电路中的兼容性。此外，TO-252封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率操作下维持器件的稳定性。
　　另外，D15N03的热阻较低，有助于在高电流工作时保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业和车载应用。
　　综合来看，D15N03凭借其低导通电阻、高电流能力和优良的热管理性能，成为一款适用于多种功率电子应用的理想MOSFET。

D15N03 广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. **电源管理**：在DC-DC转换器、同步整流器和稳压模块中作为高效率开关器件使用，提高能量转换效率。
　　2. **电机控制**：用于H桥电路或电机驱动器中，提供高电流输出能力以驱动直流电机或步进电机。
　　3. **电池管理系统**：在电池充放电控制电路中作为开关元件，实现对电池的保护和管理。
　　4. **工业自动化**：用于PLC、继电器替代电路、工业电源等设备中，提供稳定的高电流开关功能。
　　5. **汽车电子**：适用于车载电源、LED照明驱动、电动工具等应用，满足汽车环境下的可靠性要求。
　　6. **消费类电子产品**：用于笔记本电脑、平板电脑、游戏设备等产品的电源管理模块中，提升系统效率和续航能力。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, AO4406A, FDS4410A, D18N03, D20N03