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D135211B2 发布时间 时间:2025/12/25 14:21:59 查看 阅读:12

D135211B2是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗的同步整流控制器,专为反激式(Flyback)电源转换器设计。该器件主要用于提高开关电源在连续导通模式(CCM)、准谐振(QR)以及断续导通模式(DCM)下的转换效率,特别是在高能效要求的应用中表现优异。D135211B2通过精确检测功率MOSFET的漏源电压(VDS),实现对同步整流MOSFET的快速开启与关断控制,从而替代传统肖特基二极管,显著降低整流损耗,提升整体系统效率。该芯片具备多种保护机制和智能驱动功能,适用于适配器、充电器、开放框架电源及工业电源等多种应用场景。其封装形式紧凑,便于PCB布局,并能在宽输入电压范围内稳定工作,具备良好的温度稳定性与抗干扰能力。

参数

型号:D135211B2
  制造商:Diodes Incorporated
  工作模式:支持DCM、QR、CCM
  工作电压范围:典型8.5V至32V
  启动电压:约7.5V
  静态电流:典型值低于1.5mA
  关断电流:低于100μA
  最大驱动能力:可驱动N沟道MOSFET
  开关频率支持:高达500kHz以上
  导通延迟时间:典型50ns
  关断延迟时间:典型40ns
  过压保护(OVP):具备自动重启动功能
  欠压锁定(UVLO):具有迟滞特性
  封装类型:SOT-26
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  引脚数量:6

特性

D135211B2的核心优势在于其高度智能化的同步整流控制算法,能够自适应识别反激变换器的不同工作模式,包括断续导通模式(DCM)、准谐振模式(QR)以及连续导通模式(CCM),确保在各种负载条件下都能实现最优的MOSFET驱动时序。这种多模式兼容能力极大提升了电源系统的全负载效率,尤其是在轻载和空载状态下仍能维持高效率运行,满足能源之星、CoC Tier 2等严苛能效标准。
  该芯片采用VDS检测技术,通过对同步整流MOSFET的漏源电压进行实时监测来判断何时开启或关闭MOSFET,避免了次级绕组反向导通导致的能量损耗。同时,内置的噪声滤波电路有效抑制了电压尖峰和高频干扰,防止误触发,提高了系统的可靠性。此外,D135211B2具备快速响应能力,导通与关断延迟时间分别仅为50ns和40ns,确保了精确的开关时序控制,进一步减少交叉导通风险。
  为了增强系统安全性,D135211B2集成了多重保护功能,包括过压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及内部UVLO(欠压锁定)机制。当发生异常情况如输出过压时,芯片会自动进入打嗝模式(Hiccup Mode),限制能量输出并尝试重启,保障负载和电源本身的安全。其低启动电压设计(约7.5V)使得系统可在较低辅助电压下正常启动,提升了兼容性。
  在工艺与封装方面,D135211B2采用SOT-26小型化封装,占用PCB面积小,适合高密度电源设计。该器件还具备良好的热稳定性,在-40°C至+125°C的宽温范围内均可稳定运行,适用于工业级和消费类电子产品。总体而言,D135211B2是一款集高效、可靠、智能于一体的同步整流控制器,代表了现代绿色电源管理的发展方向。

应用

D135211B2广泛应用于各类中小功率开关电源系统中,特别适用于需要高能效和紧凑设计的设备。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑的AC-DC适配器与USB-PD充电器;智能家居设备如路由器、网络摄像头、智能音箱的外置电源;以及工业控制设备中的开放框架电源模块。由于其支持多种工作模式并具备出色的轻载效率,该芯片也常用于待机功耗敏感的产品,例如电视、机顶盒、打印机等家用电器的辅助电源设计。
  在LED照明电源领域,D135211B2可用于构建高效率、长寿命的恒压或恒流驱动电源,尤其适合替换传统二极管整流方案以降低温升、提高系统可靠性。此外,在电信设备和网络通信电源中,该器件有助于实现更高的功率密度和更低的散热需求,从而简化热管理设计。
  对于需要满足国际能效法规(如DoE Level VI、ErP Lot 6)的产品,D135211B2提供了理想的解决方案。其低静态电流和高效的同步整流控制使其成为绿色节能电源设计的关键组件。无论是消费类电子还是工业级应用,D135211B2都能显著提升电源的整体性能指标,延长产品生命周期,并降低总拥有成本。

替代型号

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