D10SC6 时间：2025/8/18 1:04:35 阅读：25

D10SC6 是一款由 STMicroelectronics 生产的高效能、低功耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）以及工业自动化等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有优异的导通性能和快速的开关特性，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.65Ω（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 27nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　最大功耗（Ptot）：80W

特性

D10SC6 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可高达 600V，使其适用于高压电源应用。此外，该器件具有较低的导通电阻，能够有效减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体系统效率。其快速的开关速度也有助于降低开关损耗，适合用于高频开关应用。
　　D10SC6 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。该封装形式也便于安装在散热片上，以增强散热能力。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的能量需求，提升响应速度。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于工业级和汽车电子系统中常见的严苛工作条件。其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 进一步增强了其在不同应用环境下的可靠性。

应用

D10SC6 广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动电路、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，特别适合用于需要高可靠性和高效率的电源管理场合。例如，在电源适配器或变频器中，D10SC6 可作为主开关器件，提供高效、稳定的功率输出。