型号：D1047-E
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：36A
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS=10V, ID=4.5A
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.5A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1370pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：470pF @ VDS=20V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=20V
　　栅极电荷(Qg)：17nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：2.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

D1047-E采用了罗姆专有的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过优化单元设计显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其典型的RDS(on)仅为11mΩ（在VGS=10V时），意味着在大电流条件下也能保持较低的功率损耗和温升，这对于电池供电设备或对热管理敏感的应用至关重要。此外，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的性能表现，例如在VGS=4.5V时RDS(on)仅为15mΩ，这使得它能够兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器，无需额外的电平转换电路。
　　D1047-E具备出色的开关特性，得益于其较低的栅极电荷（Qg=17nC）和输入电容（Ciss=1370pF），可以实现快速的开启和关断响应，减少开关过程中的交越损耗，提升高频工作的效率。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及PWM电机控制等应用场景。同时，器件内部的寄生体二极管具有较快的反向恢复时间，有助于降低在感性负载切换时产生的电压尖峰，增强系统的稳定性。
　　在可靠性方面，D1047-E设计有良好的热稳定性与抗雪崩能力，能够在瞬态过压或短路情况下承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境温度变化。SOP-8封装不仅节省空间，还提供了较好的散热路径，尤其是在PCB上配合适当的铜箔面积时，可有效传导热量，延长器件寿命。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。

D1047-E常被用于各类中低电压功率开关应用中，特别是在便携式消费类电子产品中表现出色，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统中用作负载开关或同步整流元件。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性提高转换效率，延长电池续航时间。此外，在电动工具、无人机、LED驱动电源以及小型电机驱动电路中，D1047-E也发挥着重要作用，能够高效地控制电机启停和调速功能。
　　工业控制领域同样是D1047-E的重要应用方向，例如PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路等，都可以利用其高可靠性和紧凑封装优势实现小型化设计。由于其支持表面贴装工艺，因此特别适合自动化生产线的大规模组装需求。在电信设备和网络通信电源模块中，该器件可用于实现高效的电压调节和电源分配功能，满足现代通信系统对高能效和高集成度的要求。
　　此外，D1047-E还可用于电池保护电路中，作为充放电通路的控制开关，配合保护IC实现过流、过压和短路保护。其快速响应能力和低导通损耗有助于提升保护电路的动作精度和整体系统效率。总体而言，D1047-E凭借其优异的电气性能、稳定的制造工艺和广泛的适用性，已成为许多中等功率电子系统中的关键元器件之一。

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　　 "DMG1047UV,RHE6047,CST1047,EUD1047,NVMFS4C47NL"
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