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CZT5551 发布时间 时间:2024/9/6 11:21:22 查看 阅读:231

CENTRAL半导体CZT5551型是一种NPN硅晶体管,通过外延平面工艺制造,环氧树脂模制在表面安装封装中,专为高压放大器应用而设计。

目录

参数

生产厂家:美国中央固体工业公司
  制作材料:Si-NPN
  性质:射频/高频放大(HF),功率放大(L)
  封装形式:射频/高频放大(HF),功率放大(L)
  极限工作电压:160V
  最大工作频率:100MHZ
  引脚数:3
  可代换的型号:
  最大耗散功率:2W

特性

集电极-基极反向击穿电压V(BR):180V
  集电极-发射极反向击穿电压V(BR):160V
  集电极连续输出电流:600mA/0.6A
  截止频率f(fT):100~300MHz
  直流电流增益(hFE):80~250
  管压降VCE:1.5V
  耗散功率:2W

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