类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.6mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（PD）：200W

CZRC5367B MOSFET具有多项优异特性，适用于高性能电源设计。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面硅工艺技术，确保了良好的热稳定性和耐高温性能，能够在严苛的工业环境中稳定运行。
　　该MOSFET具备高耐压特性，漏源击穿电压为60V，适用于多种中压功率转换应用，如同步整流、DC-DC降压/升压变换器、负载开关等。此外，其最大连续漏极电流可达120A，能够满足大电流输出需求，适用于高功率密度设计。
　　在封装方面，CZRC5367B采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于自动化生产和散热管理，同时具备良好的焊接可靠性和热传导性能。该封装形式在工业级应用中广泛使用，具有良好的热管理和机械稳定性。
　　此外，该器件具有良好的开关特性，能够支持高频开关操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体系统的功率密度。同时，其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间，适用于高频整流和电机驱动等场合。

CZRC5367B适用于多种功率电子系统，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电源、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业电机驱动、服务器电源、电信设备电源模块等领域。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换设计的理想选择。在同步整流电路中，该MOSFET可有效降低整流损耗，提高整体电源效率。在电机驱动应用中，其高耐压和大电流能力可支持高功率直流电机的运行，适用于电动车辆、工业机器人等设备。此外，由于其良好的热性能和封装形式，也适合用于需要良好散热管理的表面贴装电路设计。

CSD16327Q3, SiR178DP, FDBL0150N08A0, Infineon BSC016N04LS