CYV15G0104EQ是一款由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)公司生产的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)芯片。这款芯片结合了SRAM的高速读写性能和非易失性存储器的数据保持能力,即使在断电情况下也能可靠地保存数据。CYV15G0104EQ采用先进的SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)技术制造,无需电池或电容器即可实现非易失性数据存储。该芯片适用于需要高速存取和数据持久性的应用,如工业控制、医疗设备、网络基础设施和汽车电子系统。
容量:1 Mbit
组织方式:128K x 8
访问时间:10 ns(最大)
工作电压:2.7V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:44-TQFP
读写周期:10 ns
数据保存时间:超过20年
读写耐久性:无限次
非易失性写入时间:小于20 ns
CYV15G0104EQ具有多个关键特性,使其在各种高性能应用中表现出色。首先,其10 ns的访问时间和读写周期使其适用于高速缓存和实时数据存储需求。芯片的工作电压范围较宽(2.7V至5.5V),能够适应多种电源设计,提高了系统设计的灵活性。
该芯片内置的非易失性存储单元无需外部电池或超级电容即可在断电情况下保持数据,避免了传统非易失性存储器如EEPROM或Flash在写入时需要等待的问题,同时消除了电池供电带来的维护和可靠性问题。此外,CYV15G0104EQ的SONOS技术确保了卓越的可靠性和耐久性,支持无限次的读写操作,且数据保存时间超过20年。
在封装方面,CYV15G0104EQ采用44-TQFP封装,适用于紧凑型PCB布局,并具有良好的热稳定性和机械可靠性。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适合在工业级和汽车级环境中使用。
CYV15G0104EQ广泛应用于需要高速、高可靠性以及断电数据保持能力的系统中。典型应用包括工业自动化设备中的缓存存储、医疗成像设备中的数据缓冲、网络交换设备中的日志记录、汽车控制系统中的故障记录存储,以及智能电表和其他智能传感器中的实时数据存储。由于其无需电池的非易失性特性,也常用于替代传统的SRAM+电池方案,以提高系统的可靠性和降低维护成本。
FM20L08A, ABLS1-L1MABVYG