类型：双通道隔离栅极驱动器
　　通道数：2
　　输出驱动能力：拉电流/灌电流 2.5A / 2.5A（典型值）
　　供电电压（VDD1/VDD2）：3.3V 至 5.5V
　　隔离耐压：5000VRMS（1分钟，符合 UL1577）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100kV/μs（最小值）
　　传播延迟时间：80ns（典型值）
　　通道间延迟匹配：±5ns（最大值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-16（宽体）
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）电容隔离层
　　安全认证：符合 UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17 标准

CYTT210的核心优势在于其先进的电容隔离技术和优异的动态性能表现。该芯片采用高速硅基电容隔离工艺，在输入与输出之间构建了一个坚固的电气隔离屏障，有效防止高压干扰对低压控制电路的影响，提升了系统的整体安全性与可靠性。其高达±100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）意味着即使在极端快速的电压变化环境下（例如在高频PWM切换过程中），驱动器仍能准确传递控制信号而不发生误触发或逻辑翻转，这对于高功率密度和高开关频率的应用至关重要。
　　CYTT210具备出色的时序控制能力，典型传播延迟仅为80ns，且通道间的延迟匹配误差小于±5ns，这有助于减少上下桥臂直通风险，提升逆变器效率并降低电磁干扰（EMI）。输出级采用图腾柱结构，提供2.5A的峰值拉/灌电流能力，可快速充放电MOSFET栅极电荷，显著缩短开关过渡时间，从而降低开关损耗，提高系统能效。
　　此外，CYTT210内置多种保护机制，包括欠压锁定（UVLO）保护，当任一侧电源电压低于设定阈值时，输出将自动关闭以防止功率器件因驱动不足而导致非饱和导通；还具备短路保护响应机制和热关断功能，进一步增强系统鲁棒性。逻辑输入兼容3.3V和5V CMOS/TTL电平，便于与各类数字控制器（如MCU、DSP、FPGA）直接接口，无需额外电平转换电路。
　　该器件支持双向电平移位，允许初级侧使用低电压逻辑信号控制次级侧高压侧的功率器件，适用于高边浮动电源设计。SOP-16宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足基本绝缘要求，而且引脚布局优化，便于PCB布线与散热管理。总体而言，CYTT210是一款高性能、高集成度、高可靠性的隔离栅极驱动器，广泛适用于现代电力电子系统中对驱动精度和系统安全有严格要求的应用场景。

CYTT210广泛应用于需要电气隔离和高效功率开关控制的电力电子系统中。典型应用场景包括工业自动化领域的伺服驱动器和变频器，其中用于驱动三相逆变桥中的IGBT或MOSFET模块，确保电机平稳高效运行；在新能源领域，该芯片被大量用于光伏并网逆变器和储能系统中的DC-AC转换电路，凭借其高CMTI和低传播延迟特性，保障系统在复杂电磁环境下的稳定工作；在电动汽车基础设施方面，CYTT210可用于车载充电机（OBC）和直流充电桩的PFC（功率因数校正）及DC-DC变换器模块，实现对高频开关器件的精确驱动；此外，在通信电源、UPS不间断电源和高效率开关电源（SMPS）中，该芯片也常用于LLC谐振变换器或硬开关拓扑中的半桥/全桥驱动，提升整机效率与功率密度；由于其具备高隔离耐压和多重保护功能，特别适合在高温、高湿、强干扰的恶劣工业环境中长期运行，是现代智能电力控制系统中不可或缺的关键元件。

CYT210, CYT210E, UCC21520, ADuM1250, Si8239x系列