品牌：Infineon Technologies
　　类型：NOR Flash
　　接口类型：HyperBus?
　　存储容量：512 Mbit
　　电压范围：1.7V ~ 1.9V
　　工作温度：-40°C ~ +105°C
　　封装形式：64-Ball BGA (11x13)
　　时钟频率：133 MHz
　　数据速率：266 MB/s
　　组织结构：按扇区/块划分，支持均匀和非均匀扇区架构
　　工艺技术：浮栅 CMOS 工艺
　　输入/输出标准：LVDS（低压差分信号）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：< 15 μA
　　读取电流：< 30 mA
　　写入/擦除耐久性：100,000 次典型值
　　数据保持时间：10 年以上（在额定条件下）

CYFB0072V18L-133BGXI 具备多项先进的技术特性，使其在高速非易失性存储领域中表现出色。首先，其基于 HyperFlash 架构的双 I/O LVDS 接口是核心优势之一。该接口在单端时钟驱动下通过差分数据传输方式实现双向高速通信，每个时钟周期可传输两位数据（DDR，双倍数据速率），从而在 133MHz 时钟下达到等效 266MT/s 的传输速率，理论带宽高达 266MB/s。这种高效的传输机制大幅缩短了代码加载时间和固件更新周期，特别适用于需要快速启动和频繁访问存储内容的应用，如车载信息娱乐系统和 ADAS 模块。
　　其次，该器件采用优化的内部存储阵列架构，支持灵活的扇区管理策略，包括多种大小的可锁定扇区，便于实现软件分区保护和增量更新。内置的硬件 ECC 引擎可在读取过程中自动检测并纠正多位错误，显著提升数据可靠性，尤其是在高温或辐射较强的环境中。同时，芯片提供多种电源管理模式，包括主动模式、待机模式和深度掉电模式，可根据系统需求动态切换以降低整体功耗，满足绿色节能要求。
　　再者，CYFB0072V18L-133BGXI 支持 JEDEC 标准的 HyperBus? 协议，确保与其他主控处理器（如 NXP、Renesas、Microchip 等厂商的 SoC）之间的互操作性。其引脚布局经过精心设计，减少信号串扰和电磁干扰，配合适当的 PCB 叠层和阻抗匹配，能够实现稳定可靠的高速信号完整性。此外，该器件具备优异的耐久性和数据保持能力，支持至少 10 万次擦写循环，并可在断电状态下长期保存数据达 10 年以上，适用于关键任务型应用。
　　最后，该产品通过 AEC-Q100 认证，具备出色的抗振动、耐湿热和抗老化性能，能够在汽车引擎舱或工业现场等恶劣环境中长期稳定运行。制造过程遵循严格的品质管控流程，确保批次一致性与高良率，为大规模量产提供了保障。

CYFB0072V18L-133BGXI 广泛应用于对性能、可靠性和环境适应性有严苛要求的高端电子系统中。在汽车电子领域，它常被用于车载信息娱乐系统（IVI）、数字仪表盘、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及车联网模块中，作为操作系统、图形界面和传感器固件的存储介质，支持快速冷启动和 OTA（空中下载）升级功能。由于其 AEC-Q100 认证和宽温工作能力，非常适合部署在发动机舱附近或车外节点等高温高湿环境中。
　　在工业自动化方面，该芯片可用于 PLC 控制器、HMI 人机界面、工业网关和边缘计算设备，提供稳定的程序存储和配置数据保存能力，支持长时间无人值守运行。其高速读取特性有助于加快设备初始化过程，提升生产效率。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和基站控制器，CYFB0072V18L-133BGXI 可用于存储引导代码、协议栈和配置文件，确保系统在重启后能迅速恢复服务，满足电信级可用性要求。
　　此外，在医疗成像设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，该器件也因其高可靠性和长生命周期支持而受到青睐。这些应用场景通常不允许频繁更换部件，因此需要元器件具备长久供货和技术支持保障。CYFB0072V18L-133BGXI 正是为此类需求量身打造的高性能 NOR Flash 解决方案。

S26KS512F-133BHI030
　　S26KS512F-133BHI230
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