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CYD18S72V18-200BGI 发布时间 时间:2025/11/3 16:42:52 查看 阅读:27

CYD18S72V18-200BGI 是一款由长运通(Changyuan Electronics)推出的高性能、低功耗同步整流DC-DC降压转换器芯片,广泛应用于需要高效电源管理的嵌入式系统和便携式设备中。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备高集成度和优异的热稳定性,能够在宽输入电压范围内稳定工作,为后级电路提供精确且稳定的输出电压。CYD18S72V18-200BGI 内部集成了主开关管和同步整流管,省去了外部肖特基二极管,提升了整体转换效率,并减少了外围元件数量,有助于缩小PCB面积并降低系统成本。该器件支持可调输出电压模式或固定输出电压配置,通过外部电阻分压网络可灵活设定输出值,适用于多种供电场景。此外,芯片内置完善的保护机制,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)和输入欠压锁定(UVLO),确保在异常工况下能够安全关断,延长系统寿命。其封装形式为BGA小型化封装,适合高密度布局的应用环境。

参数

型号:CYD18S72V18-200BGI
  制造商:长运通(Changyuan Electronics)
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.8V ~ 16V(可调)或固定1.8V/3.3V等版本
  最大输出电流:2A
  开关频率:500kHz ~ 1.2MHz(典型1MHz)
  工作效率:高达95%
  静态电流:约60μA(关断模式下小于1μA)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:BGA-8(2mm×2mm)
  控制方式:电流模式PWM控制
  反馈参考电压:0.6V ±2%
  导通电阻(HS-FET):80mΩ
  导通电阻(LS-FET):60mΩ

特性

CYD18S72V18-200BGI 具备多项先进设计特性,使其在同类DC-DC转换器中表现出色。首先,其采用电流模式PWM控制架构,提供了快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,能够在负载突变时迅速调整占空比,维持输出电压的稳定。该芯片内置的高边和低边MOSFET均经过优化设计,具有较低的导通电阻,显著降低了导通损耗,从而提高了整体转换效率,特别是在中高负载条件下表现尤为突出。
  其次,CYD18S72V18-200BGI 支持宽范围输入电压(4.5V至18V),可直接由12V系统母线或锂电池组供电,适应性强,适用于工业控制、网络通信设备、智能家居模块以及车载电子等多种应用场景。其可调输出功能通过外部电阻分压实现,用户可根据实际需求设定输出电压,最低可调至0.8V,满足现代低压数字核心供电的要求。
  再者,芯片集成了多重保护机制,包含逐周期限流保护、打嗝模式过流保护、过温自动关断及输入欠压锁定功能。当检测到输出短路或过载时,芯片会进入打嗝模式,周期性地尝试重启,避免持续高温损坏器件,同时保障系统的安全性。此外,轻载条件下自动切换至PFM(脉冲频率调制)模式,有效降低静态功耗,提升轻载效率,特别适合对能效要求较高的电池供电设备。
  最后,该器件采用小型BGA封装,占地面积小,配合少量外围元件即可完成完整电源方案设计,极大简化了PCB布局复杂度。内部补偿电路的设计也减少了外部补偿元件的需求,进一步降低了设计门槛,加快产品开发周期。整体而言,CYD18S72V18-200BGI 是一款兼顾性能、效率与可靠性的同步整流降压转换器,适用于对空间和功耗敏感的高端电子系统。

应用

CYD18S72V18-200BGI 广泛应用于多种需要高效、紧凑型电源解决方案的电子系统中。在消费类电子产品领域,如智能音箱、Wi-Fi路由器、机顶盒和便携式音频设备中,该芯片可用于为主控SoC、内存和传感器模块提供稳定的内核电压和I/O电压,凭借其高效率和低静态电流优势,显著延长电池续航时间或降低待机功耗。
  在工业自动化与控制系统中,该器件适用于PLC模块、远程IO单元、传感器信号调理板等设备的局部电源管理,其宽输入电压范围允许直接接入常见的12V直流总线,无需前置LDO,简化电源层级结构。同时,良好的温度稳定性和过温保护功能确保其在恶劣工业环境中长期可靠运行。
  在通信设备方面,CYD18S72V18-200BGI 可用于光模块、以太网交换芯片、FPGA和ASIC的辅助电源供电,满足高速数字电路对低噪声、快速动态响应电源的需求。其较高的开关频率使得可以使用小型电感和陶瓷电容,有利于高频噪声抑制和EMI控制。
  此外,在汽车电子应用中,如车载信息娱乐系统、行车记录仪和ADAS辅助模块中,该芯片能够耐受车辆点火时的电压波动,并在低温冷启动和高温运行环境下保持稳定输出。结合其小型封装特点,非常适合空间受限的车载模块设计。
  最后,在物联网(IoT)终端设备中,例如无线传感节点、NB-IoT模组和智能电表中,CYD18S72V18-200BGI 的低静态功耗和高轻载效率特性使其成为理想的电源选择,有助于实现长时间待机和节能运行。总之,该芯片凭借其高集成度、高效率和高可靠性,已成为众多中功率嵌入式系统电源设计中的优选方案。

替代型号

RT7289

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CYD18S72V18-200BGI参数

  • 标准包装60
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量18M(256K x 72)
  • 速度200MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳484-FBGA
  • 供应商设备封装484-FBGA(23x23)
  • 包装托盘