CYD18S18V18 是一款由赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor,现为英飞凌 Infineon)生产的18位、高速、低功耗的异步SRAM(静态随机存取存储器)模块。该器件专为高性能数据存储应用设计,适用于工业控制、网络设备、测试仪器、嵌入式系统等领域。CYD18S18V18采用异步操作方式,提供灵活的读写时序控制,具有较高的可靠性和稳定性。
容量:262,144 x 18 位
电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns / 12ns / 15ns(根据型号后缀)
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据宽度:18位
封装引脚数:54
功耗:低功耗CMOS技术
读写操作:异步
时序控制:支持片选(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)
CYD18S18V18 是一款专为高性能嵌入式系统设计的18位异步SRAM模块。其主要特点包括宽电压范围支持(2.3V至3.6V),这使得它可以在多种电源环境下稳定工作。该器件的访问时间分为10ns、12ns和15ns三种选项,满足不同性能需求,适用于高速缓存和临时数据存储。
该SRAM模块采用了低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时显著降低功耗,适用于对能效要求较高的系统。封装形式为54引脚TSOP,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的工业控制、网络设备、通信系统等应用场景。
此外,CYD18S18V18支持异步读写操作,具备独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,便于与各种控制器或FPGA进行接口。其18位数据宽度设计适用于图像处理、高速缓冲等需要较大数据吞吐量的应用场景。该芯片的高可靠性和稳定性,使其成为工业自动化、测试测量设备和嵌入式系统中理想的数据存储解决方案。
CYD18S18V18 主要应用于需要高速、低功耗、18位并行数据存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统的高速缓存存储、测试与测量仪器中的数据采集缓冲、FPGA或DSP系统的外部存储器扩展、图形显示控制器的帧缓冲存储、通信设备中的临时数据存储等。由于其宽温范围和高可靠性,也广泛用于航空航天、汽车电子和医疗设备等对稳定性要求极高的场合。
IS61WV102418BLL-10BLLI, CY7C1041CV25-10ZSXI, CY7C1009DV33-10ZSXI