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CYD09S18V18-200BBXC 发布时间 时间:2025/11/4 0:54:05 查看 阅读:52

CYD09S18V18-200BBXC是一款由紫光同创(Pango Micro)推出的高性能、高密度的现场可编程门阵列(FPGA)器件,属于其Compact系列中的中端产品线。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备丰富的逻辑资源、灵活的I/O配置以及强大的系统集成能力,适用于通信、工业控制、视频处理、嵌入式计算等多种复杂应用场景。CYD09S18V18-200BBXC特别针对需要中等规模逻辑单元但对功耗和成本敏感的设计进行了优化,在保证性能的同时实现了良好的能效比。该芯片支持多种标准接口协议,并内置了高速收发器、PLL时钟管理模块以及块存储器资源,能够满足现代数字系统设计中对于灵活性与可重构性的需求。此外,该FPGA可通过JTAG或主动串行模式进行配置,兼容主流开发工具链,便于工程师快速完成原型验证与产品部署。

参数

型号:CYD09S18V18-200BBXC
  制造商:紫光同创(Pango Micro)
  系列:Compact系列
  逻辑单元(LEs):约9,000个
  寄存器数量:约7,200个
  可用I/O引脚数:144
  核心电压:1.8V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:BGA-200
  最大用户闪存容量:支持外部配置Flash启动
  PLL数量:2个
  嵌入式块RAM总量:约128 Kbit
  最大系统时钟频率:约200 MHz
  收发器速率:无高速收发器(适用于通用逻辑应用)
  配置方式:支持JTAG、AS(主动串行)模式

特性

CYD09S18V18-200BBXC FPGA具备高度集成的可编程逻辑架构,内部由可配置逻辑块(CLB)、可编程互联资源、输入/输出块(IOB)以及专用功能模块组成。其逻辑结构基于查找表(LUT)设计,每个LUT可实现任意4输入布尔函数,结合触发器支持组合逻辑与时序逻辑的灵活构建。芯片内建两个锁相环(PLL),可用于时钟倍频、分频、相位调整和抖动滤除,显著提升系统的时钟管理能力,适应多时钟域设计需求。片上块RAM总量达到128Kbit,划分为多个独立存储块,支持双端口读写、异步/同步访问模式,适用于缓存、FIFO、状态机数据存储等场景。
  该器件提供多达144个用户可编程I/O引脚,支持多种电平标准,包括LVCMOS、LVTTL、SSTL、HSTL等,能够在不同外围设备间实现无缝电平匹配与接口兼容。所有I/O均具备可调驱动强度与上拉/下拉电阻配置功能,增强了信号完整性与抗干扰能力。在安全性方面,CYD09S18V18-200BBXC支持加密配置比特流加载,防止知识产权被非法复制。同时,其低功耗设计通过动态电源管理技术实现,在待机或轻负载状态下自动关闭非必要模块以降低整体功耗,适合用于便携式设备或长期运行的工业控制系统。
  开发支持方面,该芯片兼容紫光同创自主研发的PGDesigner综合与布局布线工具,支持Verilog HDL和VHDL硬件描述语言输入,并提供完整的时序分析、功耗估算与调试功能。配合下载电缆与在线逻辑分析仪(如SignalTap类工具),可实现全生命周期的开发与维护。此外,器件支持热插拔容忍和I/O Bank独立供电管理,提高了系统在复杂环境下的可靠性与稳定性。

应用

CYD09S18V18-200BBXC广泛应用于对中等规模逻辑集成度有要求且注重性价比的领域。在工业自动化中,常用于PLC控制器、运动控制卡、传感器融合模块的设计,利用其高可靠性和强实时性实现多轴电机同步控制与现场总线协议转换。在通信设备中,可用于E1/T1线路接口单元、小型交换机中的包处理引擎或桥接逻辑,完成帧同步、CRC校验、地址解析等功能。
  在消费电子与智能显示领域,该FPGA适用于视频格式转换器、图像缩放器、LCD驱动时序生成器等设计,能够处理RGB、YUV等多种色彩空间的数据流,并实现帧率匹配与时序控制。在测试测量仪器中,作为主控协处理器,负责采集逻辑分析、波形生成与协议解码任务,尤其适合需要定制化信号处理路径的应用场景。
  此外,该器件也常用于教学科研平台和FPGA学习板,因其资源适中、封装易于焊接与调试,成为高校电子工程专业开展数字系统设计课程的理想选择。在军工与轨道交通等对国产化率有明确要求的行业中,CYD09S18V18-200BBXC凭借其自主可控的技术背景,逐步替代进口同类产品,推动关键基础设施的供应链安全建设。

替代型号

EP4CE6E22C8N
  Xilinx Spartan-6 XC6SLX9

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CYD09S18V18-200BBXC参数

  • 数据列表CYDxxS72,36,18V18 FullFlex
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量9M(512K x 18)
  • 速度200MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳256-LBGA
  • 供应商设备封装256-FBGA(17x17)
  • 包装托盘
  • 其它名称428-2034CYD09S18V18-200BBXC-ND