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CYD02S36VA-167BBC 发布时间 时间:2025/11/3 13:46:05 查看 阅读:14

CYD02S36VA-167BBC 是一款由Cypress Semiconductor(现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分)推出的高性能、低功耗的串行铁电随机存取存储器(F-RAM)芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性,能够在断电情况下长期保存数据而无需备用电源。CYD02S36VA-167BBC 采用先进的铁电技术,提供高达10^14次的读写耐久性,远超传统的EEPROM和闪存,适用于需要频繁写入操作的应用场景。该芯片支持SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,工作电压范围宽,通常在2.7V至3.6V之间,确保在多种工业和商业环境中稳定运行。封装形式为小型化的BGA(Ball Grid Array),适合对空间有严格要求的便携式设备和高密度PCB设计。此外,该器件具备极快的写入速度,无需写等待时间,显著提升了系统整体性能。
  这款F-RAM器件广泛应用于需要高可靠性、高速数据记录和频繁参数更新的系统中,如工业自动化控制器、医疗监测设备、智能仪表、汽车电子控制单元(ECU)以及物联网(IoT)终端设备。其内部结构包含256 Kbit的存储容量,组织为32K × 8位,地址空间连续,支持字节级写入,避免了传统闪存所需的块擦除操作。CYD02S36VA-167BBC 还集成了写保护功能,可通过硬件引脚或软件命令启用,防止意外数据修改。温度工作范围覆盖工业级标准(-40°C 至 +85°C),满足严苛环境下的应用需求。由于其出色的抗辐射性能和数据保持能力(超过10年),该芯片也常用于航空航天和高可靠性工业领域。

参数

型号:CYD02S36VA-167BBC
  制造商:Infineon Technologies (原Cypress)
  存储类型:非易失性F-RAM
  存储容量:256 Kbit (32K × 8)
  接口类型:SPI (四线制:SI, SO, SCK, CS)
  时钟频率:最高40 MHz
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:6x8 mm BGA, 48-pin
  写入耐久性:10^14 次/字节
  数据保持时间:> 10 年(在+85°C下)
  写入时间:无延迟(即时写入)
  待机电流:典型值 10 μA
  工作电流:典型值 5 mA @ 10 MHz
  写保护功能:硬件WP引脚 + 软件写保护指令
  状态寄存器:支持忙检测与写使能控制

特性

CYD02S36VA-167BBC 的核心特性之一是其基于铁电材料的存储单元结构,使用锆钛酸铅(PZT)作为介电层,实现极高的读写耐久性和瞬时非易失性写入。与传统EEPROM或Flash不同,该芯片在执行写操作时无需预擦除步骤,也不受写入次数限制,允许每秒进行数百万次的数据写入而不影响寿命。这种卓越的耐久性使其特别适用于需要持续日志记录、传感器数据采集或多变量实时配置更新的应用。例如,在电力监控系统中,它可以每毫秒记录一次电压电流值而不会出现磨损问题。
  另一个关键优势是其“即时写入”能力。大多数非易失性存储器在写入后会进入“写周期”等待状态,期间无法响应新的命令,但CYD02S36VA-167BBC 在数据写入总线的同时即完成永久存储,消除了延迟,极大提高了系统效率。这使得它在高速工业控制、PLC模块和实时操作系统中具有不可替代的地位。此外,其SPI接口兼容性强,支持模式0和模式3,便于与各种微控制器连接,并可通过菊花链方式扩展多个设备。
  该器件还具备出色的抗干扰能力和数据安全性。内置写保护机制可锁定特定地址区域,防止误操作导致关键固件或校准参数被覆盖。同时,F-RAM本身对X射线、伽马射线等辐射不敏感,适合医疗成像设备和航天电子系统使用。低功耗设计使其在电池供电设备中表现优异,待机模式下仅消耗微安级电流,有助于延长设备续航时间。所有操作均符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。

应用

CYD02S36VA-167BBC 广泛应用于对数据完整性、写入速度和可靠性要求极高的嵌入式系统中。在工业自动化领域,它常用于可编程逻辑控制器(PLC)、远程I/O模块和过程变送器中,用于实时存储传感器采样值、故障日志和运行参数。由于其无限写入寿命,系统可以频繁刷新状态信息而无需担心存储器老化。在智能电表、水表和燃气表等公用事业计量设备中,该芯片负责保存累计用量、时段费率和断电前最后读数,确保计费准确且防篡改。
  在汽车电子方面,CYD02S36VA-167BBC 可用于发动机控制单元(ECU)、车载诊断系统(OBD-II)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中,记录车辆运行状态、故障码和事件触发前后数据,支持事故重建分析。其宽温特性和抗振动性能满足车规级要求。医疗设备如心电图机、血糖仪和便携式监护仪利用其快速写入和非易失性特点,确保患者生命体征数据在突发断电时不丢失。
  此外,在物联网(IoT)节点、无线传感器网络和边缘计算设备中,该芯片用于缓存本地数据并在网络恢复时上传,提升系统鲁棒性。通信基站、路由器和交换机中的配置存储也采用此类F-RAM,以实现毫秒级配置保存和快速重启。科研仪器、测试测量设备和航空电子系统同样依赖其高可靠性与长数据保持能力,执行精密实验数据记录和飞行参数存档任务。

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  • 数据列表CYD02S36V(A)
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量2M(64K x 36)
  • 速度167MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳256-LBGA
  • 供应商设备封装256-FBGA(17x17)
  • 包装托盘