制造商: Infineon Technologies
　　产品系列: CY7C26xxKV18
　　类型: Dual-Port SRAM
　　容量: 36Mb
　　组织结构: 2M x 18
　　供电电压: 3.3V
　　最大访问时间: 4.5ns
　　工作温度范围: -40°C ~ +85°C
　　封装/外壳: 165-BGA (11x15)
　　接口类型: 并行
　　时钟类型: Synchronous
　　数据速率: 高速
　　引脚数量: 165
　　安装类型: 表面贴装
　　是否无铅: 是
　　JEDEC 标准: 符合
　　是否支持ODT: 是
　　复位功能: 有

CY7C2665KV18-450BZI 具备多项先进特性，使其在高性能双端口 SRAM 市场中占据重要地位。首先，其超低访问时间（4.5ns）确保了极高的数据吞吐率，适合用于需要快速响应的数据处理系统，如电信交换设备、路由器和高速数据采集系统。该器件采用同步架构，所有输入输出操作均与时钟边沿同步，有效避免了异步信号带来的时序不确定性，提升了系统的稳定性和可靠性。
　　其次，该芯片支持真正的双端口操作，两个端口各自拥有独立的地址、数据和控制总线，允许两个处理器或控制器同时对同一存储阵列进行读写操作，极大提高了多处理器系统中的数据共享效率。此外，CY7C2665KV18-450BZI 提供了片上终端电阻（ODT），可在不使用外部终端电阻的情况下实现阻抗匹配，减少信号反射，提高高速信号传输的质量，同时也节省了 PCB 空间和物料成本。
　　再者，器件具备可编程输出驱动强度功能，用户可根据实际布线环境调整输出电流，以平衡信号完整性和电磁干扰（EMI）。其支持同步复位（SYNC_RESET）引脚，能够在系统启动或异常时强制器件进入已知状态，防止不确定行为的发生。另外，该芯片提供字节写使能（Byte Write Enable）功能，允许单独控制高位字节（UB）和低位字节（LB）的数据写入，增强了数据操作的灵活性。全局写使能（GW）则可用于一次性禁止所有写操作，便于系统级保护。
　　该器件还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适合对能耗敏感的应用场景。工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），保证其在恶劣环境下仍能稳定运行。所有 I/O 引脚均兼容 LVTTL 电平，便于与多种逻辑器件接口连接。综上所述，CY7C2665KV18-450BZI 凭借其高速、高可靠性、灵活配置和优良信号完整性设计，成为高端嵌入式系统和通信基础设施的理想选择。

CY7C2665KV18-450BZI 主要应用于需要高速、可靠数据共享的复杂电子系统中。典型应用包括通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站控制器，其中多个处理器需频繁交换大量数据，该双端口 SRAM 可作为共享内存缓冲区，显著提升系统整体性能。在网络处理单元（NPU）和数字信号处理器（DSP）协同工作的系统中，该芯片常被用作中间数据暂存器，实现主处理器与协处理器之间的无缝通信。
　　此外，该器件广泛用于测试与测量设备，例如高性能示波器、逻辑分析仪和自动化测试设备（ATE），用于临时存储采样数据或配置信息，满足高速数据流的实时处理需求。在工业控制系统中，尤其是在运动控制、PLC 和 CNC 设备中，CY7C2665KV18-450BZI 可用于实现主控单元与执行单元之间的快速状态同步和命令传递。
　　军事与航空航天领域也采用此类高性能 SRAM，用于雷达信号处理、飞行控制系统和卫星通信模块，因其具备高可靠性与宽温工作能力。广播与音视频处理设备，如专业级视频切换台和实时编码器，同样利用其双端口特性进行帧缓存和跨时钟域数据传输。总之，任何需要两个独立系统组件安全、高效共享数据的场景，都是 CY7C2665KV18-450BZI 的理想应用场景。

CY7C2665KV18-450BZXC
　　CY7C2665KV18-500BZI
　　CY7C2662KV18-450BZI