容量：1K x 8位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：45ns
　　封装形式：44-Pin Plastic Quad Flat Pack (PQFP)
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　引脚数：44
　　最大功耗：350mW

CY7C266-45WMB的主要特性包括高速存取能力、低功耗设计以及高度可靠的性能。其45ns的访问时间使其非常适合实时数据处理的应用场景。
　　此外，该芯片使用了成熟的CMOS工艺，能够有效降低功耗并提高稳定性。芯片支持异步操作模式，简化了与微处理器或其他外设之间的接口设计。
　　它的封装形式为PQFP，这种封装方式不仅提高了散热性能，还增强了电气连接的可靠性。
　　在数据保持方面，即使在掉电的情况下，通过外部电池供电，CY7C266-45WMB可以继续保存数据，确保关键信息不丢失。
　　总的来说，CY7C266-45WMB是一款高性能、高可靠性的SRAM，广泛适用于各类对速度和稳定性要求较高的应用场合。

CY7C266-45WMB常用于需要高速数据存取的领域，例如工业控制设备、通信网络设备、医疗仪器以及消费类电子产品等。
　　在工业自动化领域，它可以作为缓存存储器或临时数据缓冲区，提升系统的响应速度和效率。在通信领域，CY7C266-45WMB可用于路由器、交换机等设备中的数据包缓存功能。
　　此外，在消费电子领域，如数码相机、打印机等设备中，也可以利用该芯片进行图像处理或打印任务时的数据暂存。总之，CY7C266-45WMB凭借其高性能和可靠性，成为众多嵌入式系统中的理想选择。

CY7C266-55WMB
　　CY7C266-65WMB
　　CY7C266-85WMB