类型：异步SRAM
　　容量：32K x 8 位（256 Kbit）
　　组织结构：32,768 字 x 8 位
　　访问时间：25 ns
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　封装形式：40-pin PLCC（WC）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C），依具体后缀而定
　　读取电流（最大）：70 mA（典型值在 5V 下）
　　待机电流：≤ 2 μA（当 CE1 为高电平时）
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　写入方式：单字节写入，支持 CE1/CE2/OE/WE 控制信号组合进行读写操作
　　三态输出：支持
　　功耗：典型工作模式下约为 350 mW

CY7C265-25WC 的核心特性之一是其高速的 25ns 访问时间，使其能够在高频微处理器系统中无缝配合，确保数据吞吐效率最大化。该器件采用全静态 CMOS 架构，内部无动态刷新需求，因此在任何稳定的地址和控制信号下均可保持数据完整性，极大地简化了系统设计复杂度。其三态输出缓冲器允许将多个 SRAM 或其他外设连接至同一数据总线，通过片选信号实现总线共享，提升了系统的扩展能力与灵活性。该芯片具备两个片选输入（CE1 和 CE2），其中 CE1 为低电平有效，CE2 为高电平有效，这种互补式的使能配置有助于系统地址译码电路的设计优化，并支持更精细的存储空间划分。写使能（WE）和输出使能（OE）信号独立控制写入与读出操作，避免了总线冲突的发生。在待机模式下，当 CE1 处于高电平时，芯片自动进入低功耗状态，显著降低空闲期间的电流消耗，这对需要节能设计的嵌入式系统尤为重要。此外，CY7C265-25WC 具备出色的抗干扰能力和稳定性，符合工业级电磁兼容标准，可在恶劣电气环境中可靠运行。其 PLCC 封装支持表面贴装安装，便于自动化生产，同时具有良好的散热性能和机械强度。尽管该器件基于较早的技术平台，但由于其成熟性、稳定性和广泛的第三方支持，至今仍在许多遗留系统维护和工业升级项目中被持续使用。
　　Cypress 对该系列提供了完整的技术支持文档，包括详细的 datasheet、应用笔记和 PCB 布局指南，帮助工程师快速完成系统集成。

CY7C265-25WC 主要应用于需要高速、低延迟数据存取的嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用场景包括工业控制器中的实时数据缓冲区，用于暂存传感器采集信息或执行机构指令；在网络通信设备如路由器、交换机和协议转换器中作为帧缓存或报文处理中间存储单元，利用其快速响应能力提升数据转发效率。在测试与测量仪器领域，例如数字示波器、逻辑分析仪等设备中，该 SRAM 可用于高速采样数据的临时存储，确保不丢失关键信号片段。在医疗设备中，尤其是便携式监护仪或成像系统中，CY7C265-25WC 可作为图像预处理或信号滤波过程中的工作内存，保障实时性要求。此外，在航空航天和军事电子系统中，部分经过筛选的工业级或扩展温度版本可用于飞行控制模块或雷达信号处理单元，提供可靠的本地存储支持。由于其 TTL 兼容接口和通用总线结构，该芯片也常被用于教育实验平台和 FPGA/CPU 开发板中，作为外部扩展存储器进行教学演示或原型验证。对于仍在维护的老式计算机系统或专用工控机，CY7C265-25WC 是理想的替换元件，尤其适用于那些依赖 8 位数据总线架构的传统主板或背板系统。随着现代系统向更高密度和更低功耗发展，虽然新型低功耗 SRAM 或 QDR 存储器逐渐取代其地位，但在特定长生命周期项目中，CY7C265-25WC 仍具备不可替代的工程价值。

CY7C265-25JI
　　CY7C265-25AXI
　　IS62C265-25LLI
　　MSM8C26525-25
　　CY7C265-25XCT