制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：QDR? II+ SRAM
　　存储容量：72 Mbit（4M × 18）
　　供电电压：VDD = 3.3V，VDDQ = 1.8V
　　工作频率：最高 333 MHz（时钟周期 3.0 ns）
　　访问时间：约 550 ps
　　输入/输出逻辑标准：HSTL Class I
　　封装类型：165-ball FBGA（11 × 15 mm）
　　引脚间距：0.8 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：18 位（x18 配置）
　　接口类型：异步 QDR II+，双端口（分离读/写端口）
　　时钟输入：差分（K/K?）
　　选通输入：差分读选通（C/C? 和 CQ/CQ?）
　　功耗特性：支持待机模式与低功耗运行模式
　　最大读写带宽：每秒可实现超过 666 Mword 传输
　　刷新机制：无需刷新（静态 RAM）

CY7C2644KV18-333BZI 具备卓越的高速数据吞吐能力，得益于其 QDR II+ 架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而实现双倍数据速率传输。该器件拥有真正独立的读写端口，读端口与写端口各自配备专用的数据线、地址线及时钟控制信号，允许多个系统组件并发访问内存资源而不会产生总线争用或等待延迟，显著提升了系统的整体效率。其差分时钟输入（K/K?）和选通控制信号（C/C?、CQ/CQ?）增强了抗噪声能力和信号完整性，特别适合在高电磁干扰环境下稳定运行。器件内部集成终端匹配电阻（On-Die Termination, ODT），减少了外部元件数量，简化了 PCB 布局布线，并有助于抑制反射引起的信号失真。I/O 接口采用 HSTL（High-Speed Transceiver Logic）标准，配合 1.8V VDDQ 电源供应，有效降低动态功耗，同时保持高速切换性能。该芯片支持多种低功耗模式，包括自动进入待机状态以节省能源，非常适合长时间连续运行且注重能效比的应用场景。另外，其 165-ball FBGA 封装具有良好的热性能和电气性能，适用于紧凑型高密度电路板设计。所有关键参数均经过严格测试和验证，确保在全温度范围内可靠运行，满足严苛工业与通信设备的要求。
　　CY7C2644KV18-333BZI 还具备出色的可扩展性和兼容性，能够与其他 QDR? 系列产品协同使用，构建更大规模的存储子系统。其地址和数据路径经过优化，支持流水线操作和突发传输模式，进一步提高数据吞吐率。器件内置可靠的上电复位电路，确保启动过程中的初始化一致性，避免因电压波动导致的数据错误。此外，该芯片遵循 RoHS 指令，采用无铅封装工艺，符合现代环保标准。由于其高度集成的设计理念和强大的功能集，CY7C2644KV18-333BZI 成为高端通信基础设施中不可或缺的核心存储解决方案之一。

CY7C2644KV18-333BZI 主要应用于需要极高带宽和超低延迟的通信与网络系统中。典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、光传输网络（OTN）设备、无线基站基带处理单元、媒体网关以及高性能数字信号处理器（DSP）协处理器缓存。在这些系统中，该 SRAM 芯片常被用于帧缓冲、队列管理、查找表存储、协议头处理及实时数据包暂存等关键任务。由于其支持同时读写操作的能力，特别适合用于需要频繁更新和查询共享数据结构的场合，例如路由表更新与查询并行执行。此外，在测试测量仪器、高端服务器内存扩展模块以及雷达信号处理系统中也可见其身影。其稳定的高频表现和优异的信号完整性使其成为 FPGAs 或 ASICs 外接高速缓存的理想选择，尤其是在 Xilinx 或 Intel（原 Altera）高端 FPGA 平台配套设计中广泛采用。随着 5G 网络部署加速和数据中心对带宽需求持续增长，CY7C2644KV18-333BZI 在下一代通信基础设施建设中发挥着越来越重要的作用。

CY7C2644KV18-333BZC
　　CY7C2644KV18-375BZI
　　CY7C2664KV18-333BZI