器件型号：CY7C263-35WC
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
　　存储容量：16K x 8 位 (128 Kbit)
　　组织结构：16,384 字 × 8 位
　　访问时间：35 ns
　　工作电压：4.5 V 至 5.5 V
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-Lead PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)
　　引脚数量：44
　　读写模式：异步读写
　　待机电流：典型值 5 mA（CMOS 工艺）
　　运行电流：典型值 70 mA @ 5V
　　地址输入：A0–A13（共14位）
　　数据输入/输出：I/O0–I/O7（双向，带三态缓冲）
　　控制信号：Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)
　　刷新需求：无（静态RAM特性）

CY7C263-35WC 采用先进的CMOS技术制造，确保了高性能与低功耗之间的良好平衡。其核心特性之一是35ns的快速访问时间，使得该SRAM能够在高频微处理器系统中作为高速缓存或临时数据存储使用，显著提升系统响应速度和处理效率。由于其异步操作模式，不需要外部时钟信号驱动，简化了系统设计复杂度，特别适合于非同步总线架构的应用环境。
　　该器件具备完整的地址解码和片内控制逻辑，支持全地址空间随机访问，任何存储单元均可在相同时间内被读取或写入，不存在机械延迟或等待周期。数据保持稳定直到断电，且无需像DRAM那样周期性刷新，极大地提高了系统的可靠性与稳定性。此外，其输出端带有三态缓冲器，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号实现精确的总线控制与时序协调。
　　在电源管理方面，CY7C263-35WC 提供两种工作模式：主动工作模式和待机模式。当片选信号（CE）为高电平时，器件进入低功耗待机状态，电流消耗降至几毫安级别，有助于节能并减少热生成。而在正常读写操作期间，内部电路全面激活以保证高速性能。这种智能功耗控制机制使其适用于对能耗有一定要求但仍需高速性能的工业和商业设备。
　　该SRAM还具备高抗干扰能力和宽温范围内的稳定工作表现，虽然标称工业级温度为0°C至+70°C，但在实际应用中常能在更严苛环境下可靠运行。所有输入引脚均具备静电放电（ESD）保护结构，提升了器件在装配和使用过程中的安全性。整体设计遵循工业标准JEDEC规范，确保与其他系统的兼容性和互换性。

CY7C263-35WC 广泛应用于各类需要高速、可靠数据存储的电子系统中。常见用途包括网络路由器、交换机和通信基站中的帧缓冲区或协议处理缓存，用于暂存大量实时传输的数据包，保障通信流畅性与低延迟。在工业自动化领域，它常被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备及运动控制系统中，用于存储运行参数、I/O映射表和中间计算结果。
　　在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，CY7C263-35WC 可作为采样数据的高速暂存区，支持快速采集与回放功能。其异步接口也使其成为老旧或专用计算机系统、嵌入式控制器以及军事和航空航天设备中的理想选择，尤其是在无法使用现代同步内存架构的场合下表现出色。
　　此外，该芯片也被用于打印机、复印机等办公设备的图像缓冲模块，以及医疗设备中的实时信号处理单元。由于其成熟的设计和长期供货记录，在设备维修、备件替换和系统升级项目中仍然具有不可替代的地位。教育机构和研发实验室也常用此类标准SRAM进行计算机体系结构教学和硬件原型开发。

CY7C263-25WC
　　CY7C263-45WC
　　IS61C256AL-35L
　　71V263SA35PGI