时间:2025/11/3 16:22:23
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CY7C261-25JC是一款由赛普拉斯(Cypress)半导体公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该器件属于高性能的异步SRAM系列,具有256K x 4位的组织结构,即总容量为1兆位(1Mbit),按262,144个地址单元、每个单元4位数据进行排列。这款SRAM专为需要快速访问和低功耗的应用而设计,广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统中作为缓存或临时数据存储使用。CY7C261-25JC采用JEDEC标准封装,便于在多种PCB布局中集成,并具备出色的噪声抑制能力和高可靠性。其工作电压通常为5V ±10%,适合于对电源稳定性要求较高的环境。此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),使其能够在恶劣环境下稳定运行。CY7C261-25JC还具备低待机电流特性,在未被选通时自动进入低功耗模式,有助于延长系统电池寿命或降低整体能耗。由于其成熟的工艺和长期供货保障,CY7C261-25JC在许多传统设计中仍被持续采用,尤其适用于那些尚未迁移到更先进存储技术的存量项目或工业升级场景。
制造商:Cypress Semiconductor
产品类别:SRAM
存储容量:256K x 4位 (1Mbit)
访问时间:25ns
工作电压:4.5V ~ 5.5V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:PLCC-44
引脚数:44
接口类型:并行异步
读写操作:支持字节写入与全写模式
最大时钟频率:无(异步器件)
待机电流:典型值小于10μA
输出使能时间:25ns(最大)
片选建立时间:0ns(支持流控制)
CY7C261-25JC具备多项优异的技术特性,确保其在复杂电子系统中的高效稳定运行。首先,其25ns的快速访问时间使得数据读取延迟极低,能够满足高速处理器或多任务处理环境下的即时响应需求。这种性能水平特别适用于需要频繁交换大量中间数据的场景,例如数字信号处理、图像缓冲或实时控制逻辑中。其次,该器件采用高性能CMOS工艺制造,不仅实现了高速度,同时保持了较低的动态和静态功耗。在正常工作状态下,其运行电流较小;而在待机或非选中状态时,自动切换至低功耗模式,显著减少能源消耗,这对便携式设备或远程监控系统尤为重要。
另一个关键特性是其强大的抗干扰能力。CY7C261-25JC内置噪声滤波电路和输入迟滞设计,有效防止因电源波动或电磁干扰导致的数据错误,提升了系统的整体可靠性。此外,该芯片支持全写(Global Write)功能,允许用户通过特定控制信号一次性清除或初始化所有存储单元,极大简化了系统上电复位或批量配置流程。其并行异步接口兼容多种微控制器和DSP平台,无需外部锁存器即可直接连接地址/数据总线,降低了外围元件数量和设计复杂度。
该器件还具备高耐用性和数据保持能力,在断电情况下只要维持供电电容足够,可长时间保留存储内容。它支持三态输出,允许多个存储器共享同一数据总线,实现灵活的扩展架构。CY7C261-25JC的PLCC-44封装形式支持表面贴装安装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于自动化生产流程。综合来看,这些特性使其成为工业自动化、电信基础设施和老式计算机模块中不可或缺的核心组件之一。
CY7C261-25JC因其高可靠性与成熟的设计,被广泛应用于多个领域。在通信系统中,常用于帧缓冲、协议转换和数据队列管理,特别是在路由器、交换机和基站设备中作为临时存储单元。在工业控制领域,它被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床和自动化仪表中,用于暂存传感器数据、执行指令队列或保存运行状态信息。由于其宽温特性和抗干扰能力强,也适用于户外或高温环境中工作的设备,如电力监控终端、轨道交通控制系统等。
在网络设备方面,CY7C261-25JC可用于包头处理、路由表缓存或DMA传输缓冲区,提升数据转发效率。在测试与测量仪器中,如示波器、频谱分析仪等,该SRAM可用于高速采样数据的临时存储,确保信号完整性不受影响。此外,在一些老旧但仍在服役的军用或航空航天电子系统中,由于兼容性与替换成本考虑,CY7C261-25JC仍是首选的存储解决方案之一。随着工业4.0的发展,许多 legacy 系统仍在升级改造过程中继续使用此类器件以保证向后兼容性。
该芯片也常见于嵌入式开发板、教学实验平台和原型验证系统中,帮助工程师进行系统调试和功能验证。尽管新型同步SRAM和DDR类存储器逐渐普及,但在不需要复杂时序控制的简单应用中,CY7C261-25JC凭借其易用性和稳定性依然具有不可替代的优势。
IS61WV256K4BL-25J\nCY7C261-25JI\nIDT71V261S25PJI\nAS7C261S-25PCN