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CY7C2263XV18-633BZXC 发布时间 时间:2025/11/3 8:43:14 查看 阅读:17

CY7C2263XV18-633BZXC 是由 Infineon Technologies(原 Cypress Semiconductor)推出的一款高性能、低功耗的 1.8V QDR? II+ SRAM,属于其高速静态随机存取存储器产品线中的先进型号。该器件专为满足通信、网络和高性能计算等应用中对高带宽、低延迟内存访问的需求而设计。CY7C2263XV18 系列采用先进的制造工艺,提供卓越的数据吞吐能力和稳定性,适用于需要快速数据交换和实时处理的应用场景。该芯片具备双倍数据速率架构,支持在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据,从而显著提升有效数据速率。其内部架构基于 QDR II+(Quad Data Rate II+)技术,实现了读写操作的完全分离,允许在一个时钟周期内同时执行一次读操作和一次写操作,极大提高了系统的并发处理能力。这种异步读写端口设计特别适合在交换机、路由器、基站设备以及测试测量仪器中作为缓冲或缓存使用。CY7C2263XV18-633BZXC 提供了 633 MHz 的工作频率,对应高达 1440 Mbps 的数据速率(720 Mbps 每数据引脚),并采用 144 引脚 BGA 封装,具有良好的电气性能和散热特性。此外,该器件符合工业级温度范围要求,能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定运行,确保在严苛工业环境下的可靠性。

参数

制造商:Infineon Technologies
  系列:QDR-II+ Sync SRAM
  存储容量:72 Mbit (4M x 18)
  供电电压:1.7V ~ 1.9V
  接口类型:并行
  时钟频率:633 MHz
  数据速率:1440 Mbps
  访问时间:未指定具体值,典型为 <3.5ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:144-BGA
  引脚数:144
  组织结构:4M x 18
  输入/输出逻辑电平:1.8V
  同步模式:全同步操作
  数据传输方式:双倍数据率(DDR)
  读写并发性:支持同时读写操作
  封装尺寸:10mm x 15mm
  

特性

CY7C2263XV18-633BZXC 具备多项先进特性,使其成为高端通信与网络系统中的理想选择。
  首先,该器件采用了 QDR II+ 架构,这是 QDR 技术的增强版本,相较于前代 QDR II,在性能和能效方面均有显著提升。QDR II+ 支持真正的单周期读写并发操作,即在每个时钟周期内可以完成一次独立的读操作和一次独立的写操作,这得益于其分离的读写数据总线设计——DQ 用于读出数据,而 DQW 用于写入数据。这种架构避免了传统单端口或普通双端口 SRAM 中常见的读写冲突问题,极大提升了系统效率,尤其适用于需要持续数据流处理的应用,如包缓冲、队列管理等。
  其次,该芯片支持差分时钟输入(K/K#),确保精确的时序控制和抗噪声能力,有助于实现稳定的高速同步操作。所有输入输出信号均与时钟边沿对齐,并通过源同步时钟(echo clock)机制将输出时钟与数据同步发送给接收方,简化了 PCB 布局中的时序匹配难题,提升了整体系统的信号完整性。
  再者,CY7C2263XV18-633BZXC 支持可编程的输出驱动强度和片上终端(On-Die Termination, ODT),可根据实际电路需求进行配置,以优化信号反射和串扰,进一步增强高速信号传输的稳定性。该器件还集成了自动刷新和低功耗待机模式功能,在不牺牲性能的前提下有效降低系统整体功耗,适应绿色节能的设计趋势。
  此外,该芯片采用 1.8V 单电源供电,兼容现代低电压数字系统,减少了电源设计复杂度。其 144 引脚 BGA 封装不仅节省空间,而且提供了优良的热传导性能,适合高密度板级集成。整个器件通过了严格的工业标准认证,具备高可靠性和长期供货保障,广泛应用于电信基础设施、数据中心互联、无线基站和高端测试设备等领域。

应用

CY7C2263XV18-633BZXC 主要应用于对带宽和延迟极为敏感的高性能系统中。
  在通信领域,它常被用作网络交换机和路由器中的帧缓冲器或查找表缓存,用于临时存储数据包头信息或路由条目,以实现快速转发决策。由于其支持同时读写的能力,非常适合在流量调度、优先级排队和多端口并发访问场景下使用。
  在无线基础设施中,该芯片可用于 LTE 和 5G 基站的基带处理单元,承担信道编码、解码过程中的中间数据缓存任务,确保上下行链路的数据流畅处理。
  此外,在测试与测量设备如高速逻辑分析仪、协议分析仪中,CY7C2263XV18-633BZXC 可作为高速采集数据的暂存区,配合 FPGA 或 ASIC 实现毫秒级响应的数据捕获与回放功能。
  在高性能计算和嵌入式系统中,该器件也可用于图形处理器、FPGA 加速卡之间的共享内存模块,提供低延迟、高吞吐的数据交互通道。
  由于其工业级温度范围和高可靠性设计,该芯片同样适用于航空航天、工业自动化等严苛环境下的实时控制系统。

替代型号

CY7C2263AV18-633BZXC
  CY7C2263BV18-633BZI

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CY7C2263XV18-633BZXC参数

  • 数据列表CY7C226(3,5)XV18
  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,QDR II+
  • 存储容量36M(2M x 18)
  • 速度633MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘