时间：2025/11/3 16:19:12
阅读：9
CY7C2263KV18-550BZXC 是由 Infineon Technologies（原 Cypress Semiconductor）生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于其 QDR? II+ HyperBus 系列产品。该器件专为需要高带宽、低延迟和高效数据吞吐量的高性能网络和通信应用而设计。它采用同步架构，支持双倍数据速率（DDR）接口，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提升数据传输效率。该SRAM提供144-Mbit（8M x 18）的存储容量，组织方式为8M字深度、每字18位数据宽度，适用于x18配置的数据路径需求。CY7C2263KV18-550BZXC 采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性，能够在工业级温度范围内可靠运行，适合部署在严苛环境下的电信、数据中心和嵌入式系统中。
制造商：Infineon Technologies
产品系列：QDR II+ HyperBus
存储类型：SRAM
存储容量：144 Mbit
位宽：x18
组织结构：8M x 18
工作电压：1.8V ± 0.15V
访问时间：550 ps
最大时钟频率：550 MHz
数据速率：1100 Mbps (DDR)
接口类型：QDR II+
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-ball Fine-Pitch BGA (11 × 15 mm)
引脚数：165
是否铅-free：是
是否符合RoHS：是
CY7C2263KV18-550BZXC 具备多项先进特性，使其成为高端通信系统中的理想选择。首先，其QDR II+（Quad Data Rate II+）架构允许读写操作在独立的总线上进行，实现了真正的分离式读写通道（Read and Write Separate），从而避免了传统单数据率或双数据率架构中存在的总线争用问题，极大提升了并发处理能力和系统吞吐量。这种架构特别适用于需要持续高带宽的应用场景，如路由器、交换机和网络处理器中的缓冲区管理。
其次，该器件支持1.8V核心电压，配合低功耗CMOS设计，在高频运行下仍能保持较低的动态和静态功耗，有助于优化系统整体能效，减少散热负担。此外，其内置可编程驱动强度和片上终端电阻（On-Die Termination, ODT）功能，能够有效抑制信号反射和串扰，提升高速信号完整性，确保在高频工作条件下的稳定性和可靠性。
再者，CY7C2263KV18-550BZXC 支持差分时钟输入（K/K#），增强了抗噪声能力，并通过精确的时序控制实现与主控芯片的同步操作。所有输入输出信号均兼容HSTL（High-Speed Transceiver Logic）电平标准，保证了与其他高速逻辑器件的良好互操作性。器件还集成了高级电源管理功能，包括低功耗待机模式，可在空闲期间自动降低功耗，延长系统寿命。
最后，该SRAM采用小型化165-ball BGA封装（11 mm × 15 mm），具有良好的热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局，同时支持自动刷新和错误检测机制（如奇偶校验选项），进一步增强了系统的鲁棒性和数据安全性。这些综合特性使CY7C2263KV18-550BZXC 成为现代高性能嵌入式系统中不可或缺的关键组件。
CY7C2263KV18-550BZXC 主要应用于对带宽和延迟要求极为严苛的高性能通信和网络设备中。典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、网络接口卡（NIC）、光纤通道系统以及宽带接入设备等，用于实现高速数据包缓冲、查找表存储和队列管理等功能。此外，它也广泛用于测试与测量仪器、军事通信系统、雷达信号处理平台以及高端FPGA加速卡中，作为临时数据缓存或中间结果暂存单元。
在数据中心基础设施中，该器件可用于支持高吞吐量的网络处理器和专用集成电路（ASIC）之间的桥梁存储，满足实时流媒体、云计算和大数据分析等任务对快速内存访问的需求。由于其支持工业级温度范围和高可靠性设计，该SRAM同样适用于恶劣环境下的工业自动化控制系统、航空电子设备和车载通信模块。
凭借其x18数据宽度，该芯片还可用于需要非标准字长对齐的数据处理架构，例如某些数字信号处理器（DSP）或多通道I/O控制器中，提供灵活且高效的内存解决方案。总之，任何需要超高数据速率、低访问延迟和长期运行稳定性的系统都可以从CY7C2263KV18-550BZXC 的卓越性能中受益。
CY7C2263KV18-550BZC
CY7C2263KV18-550BZXI
CY7C2263KV18-550BZCIT
