时间：2025/11/4 0:47:43
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CY7C2263KV18-450BZXI 是由 Infineon Technologies（原 Cypress Semiconductor）推出的一款高速、低功耗的 QDR? II+ SRAM（四倍数据速率静态随机存取存储器），专为高性能网络和电信应用设计。该器件属于 QDR-II+ (Quad Data Rate II+) 系列，支持在时钟信号的上升沿和下降沿分别传输地址/命令或数据，从而实现极高的数据吞吐能力。其工作电压为 1.8V ±5%，适用于需要高带宽、低延迟内存访问的应用场景，如路由器、交换机、基站处理单元以及测试测量设备等。
CY7C2263KV18-450BZXI 提供 72 Mbit（4M × 18）的存储容量，采用 168-ball BGA 封装，具有优异的电气性能和热稳定性。器件内部集成了多种功能以提升系统可靠性，包括可编程驱动强度、片上终端匹配（ODT）、差分时钟输入、回送模式支持以及灵活的突发长度控制。此外，该芯片符合 RoHS 标准，并具备工业级温度范围支持（-40°C 至 +85°C），适合在严苛环境下稳定运行。
制造商：Infineon Technologies
产品系列：QDR? II+
存储容量：72 Mbit
组织结构：4M × 18
工作电压：1.71V ~ 1.95V
最大时钟频率：450 MHz
访问时间：450 ps
数据速率：900 Mbps（双倍数据速率）
接口类型：QDR（四倍数据速率）
输入/输出逻辑标准：HSTL 1.8V
封装类型：168-ball FBGA
引脚数：168
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
每字宽度读写端口数量：独立的读/写端口
时钟模式：差分时钟（K/K#）
突发长度：固定或可变（通常为 BL=2 或 BL=4）
刷新机制：无需刷新（SRAM 特性）
CY7C2263KV18-450BZXI 具备多项先进的电气与架构特性，确保其在高带宽通信系统中表现卓越。首先，该器件采用真正的四倍数据速率（QDR）架构，即在每个时钟周期内可在上升沿和下降沿分别进行一次数据传输，同时拥有独立的读写数据路径——通过分离的数据输入（DQ）和数据输出（Q）总线，避免了传统单端口或双端口 SRAM 中因读写冲突导致的性能瓶颈。这种架构特别适用于需要持续高吞吐量的数据包缓冲、队列管理和高速缓存应用场景。
其次，该芯片支持 HSTL（High-Speed Transceiver Logic）1.8V 接口标准，提供良好的信号完整性和抗噪声能力，尤其在高频操作下仍能保持稳定的数据传输。差分时钟输入（K/K#）不仅提高了时序精度，还增强了对电磁干扰的抵抗能力，有助于降低抖动并提高系统同步性能。此外，器件内置可编程输出驱动强度和片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），有效减少了 PCB 上外部匹配元件的数量，简化了布局设计并提升了信号质量。
再者，CY7C2263KV18-450BZXI 支持多种低功耗模式，例如待机模式和深度睡眠模式，在不牺牲性能的前提下显著降低了系统整体功耗，这对于高密度板卡和散热受限环境尤为重要。它还具备回送测试模式（Loopback Mode），便于系统级调试和产线测试，提升了开发效率和生产良率。最后，该器件经过严格的质量认证，具备高可靠性和长期供货保障，广泛应用于运营商级基础设施设备中。
CY7C2263KV18-450BZXI 主要用于对带宽和延迟要求极为严苛的高性能通信系统。典型应用包括核心网和边缘路由器中的数据包缓冲存储器，用于临时存储待处理的数据帧，确保流量调度的高效性；在多端口以太网交换机中作为共享内存池，实现多个端口之间的高速数据交换；在无线基站（如 4G LTE 和 5G NR 基站）的基带处理单元中承担信道编码、解码和调度任务所需的数据暂存功能。
此外，该芯片也常用于网络处理器、数字信号处理器（DSP）协处理器系统的高速缓存扩展，弥补片上缓存不足的问题。在测试与测量仪器领域，如高速逻辑分析仪、协议分析仪和示波器中，其高吞吐能力和确定性访问延迟使其成为实时数据采集和回放的理想选择。由于其支持工业级温度范围和高可靠性设计，也可应用于工业自动化控制、航空航天通信模块以及高端视频处理平台等复杂环境中。
CY7C2263KV18-450BZXC
CY7C2255KV18-450BZXC
CY7C2255KV18-450BZXI
