您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CY7C199-12VCT

CY7C199-12VCT 发布时间 时间:2025/11/3 18:58:27 查看 阅读:13

CY7C199-12VCT是Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于异步静态RAM系列,具有低功耗和高性能的特点,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。CY7C199-12VCT采用CMOS工艺制造,提供44引脚PLCC封装(PLastic Leaded Chip Carrier),便于在多种电路板设计中使用。
  CY7C199-12VCT的存储容量为32K x 8位,即总共256K位的存储空间,能够支持字节宽度的数据操作。其访问时间仅为12纳秒,适合对读写速度要求较高的实时处理系统。该芯片支持单电源供电,通常工作在5V电压下,并具备双向三态输出,可直接连接到微处理器或控制器的数据总线上。
  该器件广泛应用于通信设备、网络路由器、工业自动化控制系统以及测试测量仪器等领域。由于其异步接口特性,不需要时钟信号即可完成读写操作,简化了系统设计复杂度。此外,CY7C199-12VCT具有高可靠性与稳定性,在宽温度范围内均能正常工作,部分型号支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),满足严苛环境下的应用需求。

参数

制造商:Infineon Technologies (原Cypress Semiconductor)
  产品系列:CY7C199
  存储容量:32K x 8位
  访问时间:12ns
  工作电压:5V ± 10%
  输入逻辑电平:TTL兼容
  输出类型:三态、双向
  封装形式:44引脚PLCC (VCT)
  工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)或 -40°C 至 +85°C(工业级)
  最大工作频率:约83MHz(基于12ns访问时间)
  待机电流:典型值为5mA(CMOS低功耗模式)
  工作电流:典型值为70mA
  引脚数量:44
  安装方式:表面贴装/SMD

特性

CY7C199-12VCT具备多项优异的技术特性,使其成为许多高性能嵌入式系统中的理想选择。首先,其12纳秒的快速访问时间确保了在高频操作环境下仍能保持稳定的数据读写性能,这对于需要实时响应的应用至关重要。例如,在工业控制系统中,CPU可以迅速从SRAM中读取程序指令或实时采集的数据,从而提高整体系统的响应速度和效率。
  其次,该芯片采用CMOS制造工艺,显著降低了功耗水平。在待机模式下,其静态电流非常小,有助于延长电池供电系统的续航时间,同时减少散热问题,提升系统长期运行的稳定性。这种低功耗特性尤其适用于便携式设备或远程监控装置。
  再者,CY7C199-12VCT具有双向三态输出结构,允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线,通过片选(Chip Enable)、输出使能(Output Enable)和写使能(Write Enable)信号进行精确控制,避免总线冲突。这使得它能够无缝集成到以微控制器或DSP为核心的系统架构中。
  此外,该器件支持全地址解码和部分地址解码两种模式,增强了系统设计的灵活性。其地址引脚数量为15位(A0-A14),足以寻址全部32K字节空间。所有输入端都带有施密特触发器设计,提高了抗噪声能力,增强了信号完整性,特别适合电磁干扰较强的工业现场环境。
  最后,CY7C199-12VCT经过严格的质量测试,符合工业级可靠性标准,能够在较宽的温度范围内可靠运行,适应恶劣的工作条件。其PLCC封装形式支持表面贴装技术,便于自动化生产和维修更换,提升了整体制造效率。

应用

CY7C199-12VCT广泛应用于多个需要高速、可靠数据存储的电子系统领域。在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,该SRAM常被用于缓存临时数据包或配置信息,利用其快速访问能力提升数据转发效率。在工业自动化控制系统中,例如PLC(可编程逻辑控制器)或运动控制卡,CY7C199-12VCT可用于存放实时采集的传感器数据或执行中的控制算法变量,确保控制过程的及时性和准确性。
  在测试与测量仪器中,如示波器、频谱分析仪等,该芯片作为高速数据缓冲区,用于暂存采样结果,以便后续处理或显示。由于这些设备通常要求极高的时间分辨率,因此低延迟的SRAM显得尤为重要。此外,在医疗电子设备中,尤其是在便携式监护仪或成像系统中,CY7C199-12VCT凭借其低功耗和高稳定性特点,能够在保证性能的同时降低能耗。
  在军事和航空航天领域,尽管该型号可能不完全符合军用等级标准,但在某些非极端环境下的子系统中仍可作为辅助存储单元使用。此外,一些老式计算机系统或工控机也采用此类SRAM作为BIOS扩展或高速缓存模块的一部分。
  值得一提的是,由于CY7C199-12VCT属于异步SRAM,无需时钟同步即可操作,因此在设计上更为简单,适合于不需要复杂时序控制的中小型系统。对于那些希望避免DDR或同步SRAM带来的布线复杂性和信号完整性的设计工程师而言,这款芯片是一个实用且成熟的选择。

替代型号

CY7C199-15VCT
  CY7C199-20VCT
  IS61LV2568-12T
  AS6C2016-12BIN

CY7C199-12VCT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CY7C199-12VCT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载