型号：CY7C198-55PC
　　制造商：Cypress Semiconductor
　　类型：异步CMOS SRAM
　　存储容量：128K x 8位（1Mbit）
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：55 ns 最大值
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-pin PLCC（PC）
　　读写控制信号：Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　封装尺寸：符合 JEDEC 标准 PLCC 外形
　　待机电流：典型值 5 mA
　　工作电流：典型值 75 mA
　　数据保持电压：最小 2.0 V
　　三态输出：支持
　　地址引脚数量：A0–A16（共17位）
　　数据引脚数量：I/O0–I/O7（8位数据总线）

CY7C198-55PC作为一款经典的异步SRAM器件，具备多项关键特性以满足高性能嵌入式系统的需求。首先，其55纳秒的快速访问时间使得该芯片能够在高频微处理器系统中有效配合，减少等待周期，提高整体运算效率。这种速度表现尤其适用于早期的32位微控制器、DSP系统以及图像处理模块，在这些应用中，内存延迟直接影响系统性能。其次，该器件采用标准的5V CMOS工艺制造，不仅保证了与当时主流逻辑电路的良好兼容性，还提供了较低的静态功耗和较高的噪声容限，增强了系统的抗干扰能力。
　　另一个重要特性是其完整的控制信号接口设计。CY7C198-55PC提供独立的片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号，支持全解码或部分解码的存储器映射方式，允许多个存储芯片共享同一数据总线而不会发生冲突。当CE和OE同时有效时，芯片进入读模式，数据从指定地址输出；当WE有效且CE有效时，则执行写入操作。这种灵活的控制机制使其易于集成到复杂的存储子系统中，例如多Bank架构或分页内存系统。
　　该器件还具备低功耗待机模式。当片选信号（CE）处于非激活状态时，芯片自动进入低功耗运行状态，显著降低电流消耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。尽管其主要面向连续工作的工业设备，但这一特性也使其可用于间歇性工作的控制系统。此外，CY7C198-55PC支持数据保持模式，在Vcc降至2.0V时仍可维持存储内容不丢失，这在系统掉电或休眠过程中起到保护关键数据的作用。
　　物理封装方面，44引脚PLCC封装具有良好的热稳定性和机械强度，支持表面贴装技术（SMT），适合自动化生产流程。PLCC封装还可方便地用于插座安装，便于维修和升级。所有引脚均符合TTL电平规范，简化了与外围逻辑电路的接口设计。总体而言，CY7C198-55PC以其可靠性、成熟的技术和广泛的行业应用基础，成为许多遗留系统维护和替代设计中的重要参考器件。

CY7C198-55PC广泛应用于各类需要中等容量、高速度静态存储器的电子系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和运动控制卡，其中需要快速存取配置参数、实时数据缓冲和程序代码缓存。由于其5V供电特性和稳定的时序性能，该芯片常被用于老式的嵌入式计算机主板、工控机和单板机中，作为主SRAM或辅助缓存使用。
　　在网络与通信设备领域，CY7C198-55PC曾用于路由器、交换机和协议转换器中的报文缓冲区或FIFO替代方案，用于临时存储待处理的数据包。在电信基础设施中，它也被用作数字信号处理器（DSP）的外部存储器，支持语音编码、调制解调等功能模块的高效运行。
　　此外，该器件在测试测量仪器、医疗设备和军事电子系统中也有应用。例如，在示波器或逻辑分析仪中，用于暂存采集到的波形数据；在雷达信号预处理单元中，用于高速数据暂存。虽然现代设计已逐步转向更低电压、更高密度的存储器解决方案，但对于系统升级、备件替换或原有设备维护而言，CY7C198-55PC仍然是一个重要的选项。

CY7C198-55JC
　　CY7C198-55ZC
　　CY7C199-55PC
　　IS61LV1288-55B