制造商：Cypress Semiconductor
　　产品系列：CY7C197B
　　存储容量：256K × 16位
　　组织结构：262,144字 × 16位
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大访问时间：25ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：44引脚PLCC（PLastic Leaded Chip Carrier）
　　引脚数量：44
　　接口类型：并行异步
　　读写模式：异步SRAM
　　输入/输出电压电平：TTL兼容
　　功耗（典型值）：约500mW（活动模式）
　　待机电流：≤ 200μA
　　数据保持电压：≥ 2.0V
　　数据保持电流：≤ 100μA
　　最大写周期时间：25ns
　　最大读周期时间：25ns
　　三态输出：支持
　　芯片使能（CE）：低电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　写使能（WE）：低电平有效

CY7C197B-25PC具备卓越的高速存取能力，其最大访问时间为25ns，能够在单个时钟周期内完成数据读取或写入操作，显著提升了系统的响应速度和处理效率。该芯片采用全静态CMOS设计，内部电路无需动态刷新即可维持数据稳定，这不仅降低了系统控制器的设计复杂度，也减少了因刷新导致的总线占用和延迟问题。其256K × 16位的组织结构提供了高达512KB的连续地址空间，适合用于存储实时数据缓冲区、查找表、图像帧缓存等大容量临时存储场景。所有控制信号均与TTL电平兼容，可以直接连接到多种微处理器、DSP和FPGA等主控设备，无需额外的电平转换电路，简化了硬件设计。
　　该器件支持低功耗待机模式，当片选信号CE为高电平时，芯片自动进入低功耗状态，典型待机电流低于200μA，有效延长了电池供电系统的续航时间。同时，它具备数据保持功能，在VCC降至2.0V以上时仍能维持存储内容不丢失，配合备用电源可在断电情况下保护关键数据。CY7C197B-25PC的三态输出结构允许其直接挂接在共享总线上，多个存储器或外设可以共用同一组数据线，通过地址译码和片选逻辑实现分时访问，提升了系统资源利用率。
　　该芯片在制造工艺上采用了高可靠性的CMOS技术，具有良好的抗静电能力和高温稳定性，能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。其44引脚PLCC封装支持表面贴装和通孔焊接两种安装方式，便于在不同PCB设计中灵活使用。此外，该封装具有较好的散热性能和机械强度，适合在振动频繁或温差较大的应用场景中部署。CY7C197B系列经过严格的可靠性测试，符合工业级质量标准，确保在各种极端条件下都能提供一致的数据读写性能。

CY7C197B-25PC广泛应用于需要高速、可靠数据存储的工业与通信领域。在通信设备中，常用于网络交换机、路由器和基站控制器中的数据包缓存和协议处理缓冲区，利用其快速访问特性提升数据吞吐能力。在工业自动化系统中，该芯片被用作PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和HMI（人机界面）设备的临时数据存储单元，用于保存运行参数、I/O状态和中间计算结果。测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪也采用该SRAM作为采样数据的高速缓存，确保采集过程中不会因存储瓶颈而丢失信息。
　　在军事和航空航天电子系统中，CY7C197B-25PC因其宽温工作能力和高可靠性而被用于雷达信号处理模块、飞行控制计算机和卫星通信终端。其非易失性数据保持特性和抗干扰设计使其能在复杂电磁环境下稳定运行。此外，在医疗成像设备如超声仪和便携式监护仪中，该芯片可用于图像帧缓存和实时信号预处理。由于其并行接口特性，CY7C197B-25PC也常见于基于传统微处理器（如80C186、MC68376）的老式嵌入式系统升级或维护项目中，是替代老旧SRAM的理想选择。在教育科研领域，该芯片也被用于FPGA开发平台和数字系统实验板，作为外部存储扩展模块使用。

AS7C25616-25PCN