时间：2025/12/26 0:02:13
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CY7C194BN-15VC 是由 Cypress Semiconductor（现属于 Infineon Technologies）生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于异步静态 RAM 系列，具有高可靠性和稳定的性能表现，广泛应用于需要快速数据访问和低延迟的工业控制、通信设备以及嵌入式系统中。CY7C194BN-15VC 提供 64K x 4 位的组织结构，总存储容量为 256 Kbit（32 KB），采用标准的并行接口设计，支持通用微处理器系统的无缝连接。其工作电压为 5V ± 10%，适用于传统的 TTL/CMOS 逻辑电平环境，并具备低功耗待机模式以提高能效。该器件封装形式为 28 引脚 DIP（双列直插式封装），型号后缀中的“-15”表示其最大访问时间不超过 15 纳秒，适合对读写速度要求较高的应用场景。CY7C194BN-15VC 支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计复杂度。此外，该芯片具备三态输出控制功能，允许多个存储设备共享同一数据总线，从而增强系统的扩展能力。凭借其成熟的技术平台和长期供货保障，CY7C194BN-15VC 在工业自动化、网络基础设施和老式计算机外围设备中仍具重要应用价值。
制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
系列：CY7C194
产品类型：SRAM
存储容量：256 Kbit
存储器组织：64K x 4
时钟频率：无（异步）
访问时间：15 ns
工作电压：4.5V ~ 5.5V
工作温度范围：0°C ~ +70°C
封装类型：DIP-28
引脚数：28
接口类型：并行
读写模式：异步读写
电源电压 - Vcc：5V
数据总线宽度：4 位
输入逻辑电平：TTL 兼容
输出类型：三态
CY7C194BN-15VC 具备多项关键特性，使其在异步 SRAM 市场中保持竞争力。首先，其 15ns 的快速访问时间确保了在高频微处理器系统中能够实现无等待状态的数据读取，显著提升系统响应速度。该芯片采用高性能 CMOS 技术制造，在保证高速运行的同时有效降低功耗，特别是在待机模式下，典型电流仅为几毫安，有助于延长设备使用寿命并减少散热需求。器件支持全静态操作，意味着只要供电持续存在，数据即可永久保存而无需任何时钟或刷新信号，极大地简化了硬件设计流程。其三态输出结构允许将多个存储器或外设共用同一数据总线，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号精确控制读写操作，增强了系统的灵活性与可扩展性。
此外，CY7C194BN-15VC 的引脚布局符合工业标准，便于 PCB 布局与替换升级。所有输入端均具备抗静电保护电路，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。工作温度范围为商业级（0°C 至 +70°C），适用于大多数室内电子设备。该器件还具备优异的噪声抑制能力和信号完整性，能够在高干扰环境中稳定运行。由于其成熟的设计和广泛的行业认证，CY7C194BN-15VC 被广泛用于路由器、交换机、PLC 控制器、测试仪器及医疗设备等关键领域。尽管新型同步 SRAM 和低电压器件不断涌现，但由于其稳定性、易用性和长期供货保障，CY7C194BN-15VC 依然是许多 legacy 系统首选的存储解决方案之一。
CY7C194BN-15VC 主要应用于需要高速、可靠且无需刷新机制的静态存储场景。常见用途包括工业自动化控制系统中的缓冲存储器，用于暂存传感器数据或程序指令；在网络通信设备如路由器、集线器和桥接器中作为帧缓存或地址查找表使用；在测试与测量仪器中提供临时数据存储空间，确保采样结果的实时处理；同时也在老式工控机、嵌入式控制器和 POS 终端等设备中担任主 SRAM 或协处理器缓存角色。由于其并行接口兼容多种微处理器架构（如 8051、68K 系列等），该芯片特别适合用于需要直接内存映射和快速 I/O 访问的应用场合。此外，在航空航天与军事电子系统中，部分经过筛选的版本可用于对长期可用性和稳定性有严格要求的项目。随着现代系统向小型化和低功耗发展，CY7C194BN-15VC 更多出现在维护现有设备或替代停产元器件的场景中，是许多 OEM 厂商进行产品延寿设计的重要选择。
CY7C194BN-15ZC
CY7C194BN-20VC
IS61LV2568-15T
AS6C2256-15PCN2
