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CY7C186A-35DMB 发布时间 时间:2025/6/27 17:18:50 查看 阅读:32

CY7C186A-35DMB 是由 Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。它属于异步SRAM类别,具有快速访问时间和低功耗的特点,适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。

参数

类型:异步SRAM
  容量:2K x 8位(16Kbit)
  电源电压:4.5V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级温度范围)
  封装类型:28引脚 SSOP(DMB后缀)
  最大访问时间:35ns
  待机电流:10mA(典型值)
  工作电流:100mA(典型值)
  数据保持电压:2V(最低)

特性

CY7C186A-35DMB 具有以下显著特性:
  ? 高速访问时间:该SRAM的最大访问时间为35ns,能够满足对响应速度要求较高的系统需求。
  ? 宽电压范围:支持4.5V至5.5V的电源供电,提高了其在不同应用环境下的兼容性。
  ? 工业级温度适应能力:可在-40°C至+85°C之间稳定工作,适合工业控制、通信设备等恶劣环境下使用。
  ? 低功耗设计:在待机模式下仅消耗约10mA电流,有助于降低整体系统能耗。
  ? 数据保持功能:即使在电源下降到2V时仍能保持数据不丢失,增强了系统的容错能力和可靠性。
  ? 封装小巧:采用28引脚SSOP封装形式,节省PCB空间,便于集成设计。

应用

由于其优异的性能和稳定性,CY7C186A-35DMB 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  ? 工业控制系统中的缓存或临时数据存储单元;
  ? 网络与通信设备中用于快速数据缓冲处理;
  ? 医疗仪器及测试测量装置作为关键内存模块;
  ? 汽车电子系统如车载信息娱乐系统(IVI)、驾驶辅助系统等场合;
  ? 消费类电子产品例如打印机、扫描仪等外设控制器内部存储器。

替代型号

IS61LV25616A-35BLLI-S;IDT71V124SA35PI;AS7C256A-35PCN;CY7C199B-35DC

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