型号：CY7C182-25VC
　　容量：16K x 8位（即128Kb）
　　访问时间：25ns
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：PLCC-32
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大读取电流：35mA
　　待机电流：50μA
　　三态输出：支持
　　组织结构：16,384字 × 8位
　　写使能控制：WE#引脚控制
　　片选信号：CE1#和CE2（或CE2#）双片选机制
　　输出使能：OE#
　　地址建立时间：25ns
　　地址保持时间：0ns
　　数据建立时间：25ns
　　数据保持时间：10ns

CY7C182-25VC具备多项关键特性，使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先，其25ns的快速访问时间确保了在高频率操作下仍能保持高效的数据吞吐能力，适用于对响应速度要求较高的应用场景，如通信设备的数据包缓冲、工业控制系统的实时数据采集等。
　　其次，该芯片采用了低功耗CMOS工艺，在保持高性能的同时显著降低了运行时的功耗，尤其是在待机模式下，电流消耗可低至50μA，有助于延长电池供电系统的使用寿命，并减少整体系统发热。
　　再者，CY7C182-25VC提供了双片选控制信号（CE1#和CE2），允许更灵活的存储器寻址和系统总线管理，支持多芯片并行扩展，方便构建更大容量的存储子系统。这种设计特别适用于需要多个存储模块协同工作的复杂嵌入式平台。
　　此外，所有输入输出引脚均与TTL电平兼容，能够无缝对接大多数微处理器和逻辑电路，无需额外的电平转换电路，从而简化了硬件设计流程，降低了系统成本。
　　该器件还具备三态输出功能，允许多个SRAM或其他外设共享同一数据总线，通过片选和输出使能信号实现总线隔离，避免总线冲突，提升系统的可靠性和可扩展性。
　　最后，CY7C182-25VC经过严格的工业级测试，具备良好的抗干扰能力和长期运行稳定性，可在恶劣的电磁环境中可靠工作，适用于工业自动化、网络设备、医疗仪器等多种严苛应用场景。

CY7C182-25VC因其高速、稳定和易于集成的特点，被广泛应用于多个领域。在通信系统中，常用于路由器、交换机的数据缓冲区，以暂存待处理的数据包，提高传输效率；在工业控制设备中，作为PLC（可编程逻辑控制器）或数据采集卡的临时存储单元，用于保存传感器采集的实时数据或程序运行中间变量；在测试与测量仪器中，用作高速采样数据的缓存，确保不丢失关键信息；在消费类电子产品中，可用于打印机、扫描仪等设备的图像数据缓冲；此外，在军事和航空航天领域，尽管部分高端应用已转向更先进的存储技术，但在一些老旧但仍在服役的系统中，CY7C182-25VC仍作为关键元器件继续发挥作用。由于其成熟的供应链和技术文档支持，许多设计工程师在进行系统升级或维护时仍会选择该型号作为替代或兼容方案。

CY7C199-25JC
　　CY7C182-25ZC
　　IS61C1024-25L
　　AS6C62256-25PCN1