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CY7C15632KV18-450BZXC 发布时间 时间:2025/11/4 3:34:34 查看 阅读:12

CY7C15632KV18-450BZXC 是 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies 的一部分)生产的一款高速、低功耗的 3.6-Mbit(256K × 18)双端口静态随机存取存储器(SRAM),属于其 SyncBurst? 系列产品。该器件专为高性能通信和网络应用而设计,支持高达 450 MHz 的工作频率,提供卓越的数据吞吐能力。器件采用 1.8V 核心电源供电,I/O 支持 1.8V 或 2.5V,符合低电压操作趋势,有助于降低系统功耗并提升能效。CY7C15632KV18-450BZXC 采用同步突发模式架构,所有输入和输出均与时钟信号同步,确保数据在高时钟速率下的可靠传输。该芯片具备独立的双端口访问能力,允许两个处理器或系统总线同时访问存储器,从而实现高效的数据共享与交换。每个端口都配有独立的地址、数据和控制总线,支持多种片选和输出使能配置,增强了系统设计的灵活性。此外,该器件还集成了高级功能,如可编程等待时间、突发长度控制以及中心对齐或边沿对齐的时钟模式选择,以适应不同的系统时序需求。封装形式为 165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA),尺寸紧凑,适用于空间受限的高密度 PCB 设计。CY7C15632KV18-450BZXC 广泛应用于电信基础设施、网络交换机、路由器、无线基站、测试设备以及其他需要高速、低延迟存储器的高端数字系统中。

参数

容量:3.6 Mbit
  组织结构:256K × 18
  电源电压 - 核心:1.8V
  电源电压 - I/O:1.8V / 2.5V
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  最大时钟频率:450 MHz
  访问时间:约 2.22 ns
  数据总线宽度:18 位(每端口)
  封装类型:165-ball FBGA
  接口类型:同步突发 SRAM
  时钟输入:差分(CK/CK#)
  工作模式:同步、突发读写
  制造工艺:CMOS 工艺
  每突发字数:可配置为 1, 2, 4 或整页突发
  等待时间(Latency):可编程
  端口数量:双端口,完全独立
  输出驱动强度:可配置

特性

CY7C15632KV18-450BZXC 具备多项先进特性,使其成为高性能双端口 SRAM 应用中的理想选择。首先,其同步突发架构确保了在高频操作下的稳定性和数据完整性。所有信号均在时钟上升沿采样,输入命令通过同步方式解析,避免了异步器件中常见的建立和保持时间问题,显著提升了系统的时序可控性。该器件支持可编程等待时间(latency),允许系统根据实际布线延迟和控制器能力调整读取响应时机,增强了与不同主控芯片的兼容性。突发长度可配置为 1、2、4 或全页模式,用户可根据数据传输需求优化突发效率,减少不必要的总线占用。此外,支持中心对齐(Center-Aligned)和边沿对齐(Edge-Aligned)两种时钟模式,进一步提高了系统设计的灵活性。
  该芯片的双端口架构是其核心优势之一。两个端口完全独立,各自拥有独立的地址、数据和控制线路,允许两个处理器或系统模块同时对同一存储器进行读写操作,极大提升了多处理器系统的数据共享效率。内置仲裁逻辑可有效处理端口冲突,防止数据损坏。器件还支持全局时钟使能(GCLKEN)和局部时钟控制,可在空闲时关闭部分电路以降低动态功耗。其 CMOS 工艺结合低电压设计,使得整体功耗远低于传统 SRAM 器件,特别适合对散热和能效有严格要求的应用场景。
  在可靠性方面,CY7C15632KV18-450BZXC 提供了出色的噪声抑制能力和信号完整性保障。差分时钟输入(CK/CK#)提高了抗干扰能力,确保在高噪声环境中仍能稳定工作。输出驱动强度可调,有助于匹配不同负载条件下的信号质量,减少反射和过冲。此外,该器件符合工业标准的 FBGA 封装规范,便于自动化贴片和回流焊工艺,提升了生产良率。Infineon 提供完整的数据手册、应用笔记和技术支持,帮助工程师快速完成系统集成与调试。

应用

CY7C15632KV18-450BZXC 主要应用于需要高速、低延迟、双处理器共享内存的通信与网络系统。典型应用场景包括电信交换机和路由器中的帧缓冲、信元缓冲以及队列管理,其中高带宽和确定性访问延迟至关重要。在无线通信基础设施中,如 4G LTE 和 5G 基站的基带处理单元,该器件可用于协处理器间的数据交换,支持实时信号处理任务。此外,在测试与测量设备中,如高速数据采集系统和协议分析仪,其突发读写能力能够满足大数据量连续存储的需求。工业自动化控制系统、高性能计算模块以及军用通信平台也广泛采用此类同步双端口 SRAM 来实现关键任务的数据共享。由于其支持 1.8V 低功耗运行并具备良好的热稳定性,该芯片同样适用于对功耗敏感的嵌入式网络设备,如小型化接入点、边缘计算网关等。其高可靠性与长期供货保证也使其成为工业级和电信级设备的理想选择。

替代型号

CY7C15632KV18-450BZI

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CY7C15632KV18-450BZXC参数

  • 数据列表CY7C15632KV18
  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,QDR II+
  • 存储容量72M(4M x 18)
  • 速度450MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘