容量：3.6 Mbit
　　组织结构：256K × 18
　　电源电压：1.7V ~ 1.9V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　最大访问时间：400 ps
　　接口类型：双端口异步SRAM
　　数据总线宽度：18位 × 2端口
　　封装类型：165-ball FBGA (11×15 mm)
　　读写模式：异步读写，支持字节写使能
　　时钟频率：无（异步操作）
　　功耗类型：低功耗CMOS工艺

CY7C15632KV18-400BZXC的核心特性之一是其真正的双端口架构，允许两个独立系统在无需外部仲裁的情况下并发访问同一块内存区域。这种设计极大地提升了多处理器系统的通信效率，特别适用于需要共享缓冲区的应用场景，例如帧缓冲、队列管理或实时数据交换。每个端口都配备了完整的地址、数据和控制线，支持全速异步读写操作，并可通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号精确控制访问行为。
　　该器件具备高性能的访问速度，典型访问时间为400皮秒（ps），能够满足高速数据处理需求，尤其适用于10Gbps及以上通信系统中的暂存和转发任务。得益于其低工作电压（1.8V）和优化的CMOS工艺，该SRAM在保持高速运行的同时实现了较低的动态和静态功耗，非常适合便携式或对热管理敏感的应用环境。
　　为了增强系统级可靠性，CY7C15632KV18-400BZXC集成了多种辅助功能模块。其中包括两组邮箱寄存器（Mailbox Registers），允许一个端口向另一个端口发送短消息或状态通知，实现跨端口中断触发，简化了处理器间的同步机制。此外，标志位逻辑提供可编程的硬件握手信号（如BUSY、INT等），可用于实现流量控制或防止数据冲突。这些功能使得开发者可以构建更加稳健和高效的多处理器通信架构，减少软件轮询开销，提升响应速度。
　　该器件还支持字节写使能控制，允许用户单独控制高字节（UB）和低字节（LB）的写入操作，增强了数据写入的灵活性。所有输入/输出引脚均兼容LVTTL或HSTL电平标准，便于与不同类型的控制器或FPGA连接。最后，其165-ball FBGA封装不仅节省空间，而且具备优良的电气特性和散热能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。

CY7C15632KV18-400BZXC广泛应用于需要高速、低延迟共享内存的各种高端电子系统中。在电信基础设施领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中的数据包缓存、队列管理和DMA传输控制，作为多个处理器之间的共享缓冲区，实现高效的数据交换。在网络视频处理系统中，该器件可用于帧缓冲存储，支持多通道视频流的同时读写操作，保障画面流畅性。
　　在工业自动化控制系统中，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）或多轴运动控制器之间共享状态信息和控制指令，提升系统响应速度和协同精度。测试与测量仪器（如示波器、逻辑分析仪）也常利用其双端口特性，在主控单元和采集模块之间建立高速数据通道，实现实时数据捕获与分析。
　　此外，该芯片还可用于雷达信号处理、军事通信设备以及航空航天电子系统中，承担关键任务的数据暂存和转发功能。由于其具备宽温工作范围（-40°C至+85°C）和高可靠性设计，能够在恶劣环境下稳定运行，因此也适用于户外或车载设备。结合其低功耗特性和小型化封装，该器件同样适合嵌入式高性能计算平台或边缘AI推理设备中的临时数据存储需求。

CY7C15632KV18-333BZXC,CY7C15632KV18-450BZXC