型号：CY7C1515KV18-250BZXI
　　类型：QDR II+ SRAM
　　容量：144Mb (8M x 18)
　　供电电压：1.8V ±5%
　　访问时间：250ps
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：165球BGA（13x15mm）
　　接口类型：双端口异步SRAM，分离式读/写数据总线
　　时钟频率：最高支持500MHz
　　数据速率：1000 Mbps（DDR）
　　引脚数量：165
　　组织结构：8M words × 18 bits
　　输入/输出逻辑：SSTL_18 I/O标准
　　建立时间和保持时间：典型值300ps
　　最大功耗：约1.2W（典型负载条件下）

CY7C1515KV18-250BZXI的核心特性之一是其QDR II+架构，该架构结合了高速双端口操作与四倍数据速率技术，使得数据吞吐能力大幅提升。该器件拥有独立的读端口和写端口，读操作通过一个专用的输出端口执行，而写操作则通过另一个专用的数据输入端口完成，这种分离式总线结构避免了传统单端口或普通双端口SRAM中的访问冲突问题，实现了真正的无延迟并发读写操作。每个端口都在差分时钟（K和/K）的上升沿采样控制信号和地址，并在两个时钟边沿上传输数据，从而实现双倍数据速率传输。由于读写路径完全独立，系统可以在同一时刻发起读请求和写请求，极大提高了带宽利用率。
　　该芯片采用SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）接口标准，支持高速信号传输并具备良好的噪声抑制能力。内部集成可编程输出驱动器，允许用户根据实际布线环境调节驱动强度，以平衡信号完整性和电磁干扰。此外，器件提供片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在不需要外部终端电阻的情况下实现阻抗匹配，降低PCB复杂度并节省空间。所有输入接收器都具有施密特触发器特性，增强了对输入信号抖动和噪声的容忍度。
　　为了适应不同系统的时序需求，CY7C1515KV18-250BZXI支持多种时序模式，包括流水线模式和直通模式，并可通过配置寄存器进行选择。该器件还具备同步保持功能，即使在主时钟暂停的情况下也能维持当前状态，防止数据丢失。电源管理方面，支持部分掉电（Partial Power-down）模式，在不使用时关闭非关键电路以降低功耗，适用于对能效敏感的应用。整体设计符合RoHS环保标准，且经过严格测试，保证在工业级温度范围内长期可靠运行。

CY7C1515KV18-250BZXI广泛应用于需要高带宽、低延迟数据交换的通信和网络设备中。其主要应用场景包括核心路由器、多层交换机、光传输设备（OTN）、无线基站（如4G LTE和5G NR基带单元）以及高端网络接口卡（NIC）。在这些系统中，该芯片通常被用作FIFO缓冲器、帧缓存、队列管理存储器或协议转换中间存储区，承担高速数据包的临时存储与转发任务。由于其双端口异步架构和QDR II+特性，特别适合处理突发性、高吞吐量的数据流，例如在以太网交换过程中进行流量整形或拥塞控制。
　　此外，该器件也适用于高性能计算平台中的协处理器间通信、数字视频广播设备（如HDMI切换器、视频矩阵）以及测试与测量仪器，如逻辑分析仪和高速数据采集系统。在这些应用中，它能够有效缓解主处理器的数据处理压力，提供快速的数据暂存通道。由于支持1.8V低电压操作和工业级温度范围，该芯片还可用于户外通信设备或工业自动化控制系统，确保在高温或低温环境中依然保持稳定性能。随着数据中心和云计算基础设施的发展，QDR II+ SRAM因其卓越的实时响应能力和确定性延迟，正越来越多地被用于加速特定类型的内存密集型任务。

CY7C1514KV18-250BZXC
　　CY7C1516KV18-250BZXC
　　CY7C1515KV18-225BZXI