制造商：Infineon Technologies (via acquisition of Cypress)
　　系列：QDR II+?
　　产品类型：Sync SRAM
　　存储容量：144 Mbit
　　存储组织：72 Bit x 2M
　　供电电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：165-Ball BGA, 0.8mm Pitch
　　引脚数：165
　　访问时间：167 ps
　　时钟频率：最高支持 333 MHz
　　数据速率：667 Mbps per pin (DDR)
　　接口类型：Parallel Synchronous
　　I/O 电压：3.3V
　　JEDEC 标准兼容性：符合 JESD79F QDR II+
　　最大工作电流：约 500mA（典型值）
　　待机电流：低于 100μA（深度掉电模式）
　　写入模式：Burst-of-4, Interleaved or Linear
　　读取模式：Burst-of-4, Interleaved or Linear
　　管脚兼容性：与同系列其他速度等级兼容（如 -167、-200 等）

CY7C1460KV33-167AXC 具备卓越的性能特性和灵活的操作模式，是高端通信系统中理想的高速缓存解决方案。其核心架构基于 QDR II+ 技术，采用独立的读写数据路径（Separate Read and Write Data Buses），允许同时执行读操作和写操作，极大地提升了数据吞吐效率。读写总线均为 72 位宽，支持突发长度为 4 的交错或线性突发模式，在每个时钟周期内可传输 4 个数据单元，结合双沿采样技术（DDR），使得有效数据速率可达 667 Mbps 每引脚。这种并行加双倍数据速率的设计使其理论峰值带宽达到 48 Gbps（72 bits × 667 MHz），非常适合用于交换机 ASIC 与外部内存之间的高速数据交换。
　　该器件支持全同步操作，所有输入信号均在系统时钟（K/K#）的上升沿和下降沿采样，确保精确的时序控制。它还集成了内部阻抗匹配电路（On-Die Termination, ODT）和可编程驱动强度功能，有助于减少信号反射、提高信号完整性，特别适用于长距离布线或多负载环境。此外，CY7C1460KV33-167AXC 支持多种低功耗模式，包括自动睡眠模式（Auto-Sleep Mode）、深掉电模式（Deep Power-down Mode）等，可在空闲期间显著降低系统能耗，满足绿色电子产品的能效要求。
　　为了增强系统的可靠性，该芯片内置了错误检测机制支持，可通过外部逻辑实现 ECC 功能扩展。其 165-ball BGA 封装具有良好的热性能和电气性能，便于散热管理，并兼容标准回流焊工艺。器件符合 RoHS 环保标准，并通过了严格的工业级温度验证（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定运行。Cypress 提供完整的参考设计文档、IBIS 模型、时序仿真工具包和技术支持资源，帮助工程师快速完成系统集成与调试。

CY7C1460KV33-167AXC 主要面向需要极高带宽和超低延迟的通信与网络基础设施设备。典型应用包括千兆及万兆以太网交换机、核心路由器、光传输网络（OTN）设备、SONET/SDH 多路复用器、无线基站中的基带处理单元、网络分析仪和协议测试仪等。在这些系统中，该芯片常被用作 ASIC 或 FPGA 的外部高速缓存，用于暂存报文头信息、队列管理数据、路由表索引或实时流媒体缓冲区。由于其支持真正的单周期随机访问能力和无粘滞性的突发传输特性，能够有效避免传统异步 SRAM 中常见的等待状态问题，从而提升整体系统响应速度。
　　在测试与测量领域，该器件可用于高速数据采集系统的中间缓冲存储，确保不丢失高频信号样本。在军事与航空航天应用中，经过筛选的工业级版本也可用于雷达信号处理、电子战系统和卫星通信终端。此外，随着数据中心对低延迟互连需求的增长，QDR II+ SRAM 也被用于某些专用加速卡或智能网卡中，协助实现高效的包处理和流量调度。得益于其高可靠性和长期供货承诺，CY7C1460KV33-167AXC 成为许多关键任务系统中的首选存储器件之一。

CY7C1460KV33-167BXC
　　CY7C1460KV33-200AXC
　　CY7C1460AV33-167AXC
　　CY7C1461KV33-167AXC