容量：2.5 Mbit
　　组织结构：128K × 18
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作频率：最高167 MHz
　　访问时间：6 ns
　　封装类型：165球FBGA（11×11 mm）
　　引脚数量：165
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：同步并行
　　突发模式：burst-of-4, 字节顺序递增
　　总线宽度：18位数据总线
　　控制信号：CE#, ADV#/LD#, CLK, BW#, OE#, WE#, UB#/LB#
　　制造工艺：CMOS
　　JEDEC标准：符合3.3V LVTTL电平
　　功耗特性：典型工作电流约200mA，待机电流低于50μA

CY7C1370D-167AXI具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统和通信基础设施中的理想选择。首先，其Zero Bus Turnaround（ZBT）架构允许在连续的读写操作之间无需插入空闲周期，极大提升了总线利用率和数据吞吐能力，特别适用于频繁切换读写状态的数据缓冲场景，如网络包处理、视频帧缓存等。其次，该器件支持同步突发访问模式，每次访问以burst-of-4的方式进行，地址自动递增，结合3.3V LVTTL电平兼容性，能够无缝对接主流FPGA和ASIC控制器，降低接口设计复杂度。此外，其内部采用全静态CMOS设计，确保在任何非活动状态下保持数据不丢失，同时具备低功耗待机模式，当片选信号无效时自动进入低功耗状态，显著减少系统整体能耗。
　　另一个重要特性是其高可靠性和稳定性。CY7C1370D-167AXI经过严格的工业级测试，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适用于户外通信基站、工业自动化设备等恶劣环境。其165球FBGA封装具有良好的热性能和电气性能，支持高密度PCB布局，并通过优化的电源与地引脚分布降低噪声干扰，提升信号完整性。此外，该器件支持字节写使能（UB#/LB#）功能，允许单独控制高位字节和低位字节的数据写入，增强了数据操作的灵活性。最后，Cypress为其提供了完整的技术支持文档和参考设计指南，便于工程师快速完成硬件集成与调试，缩短产品开发周期。这些综合优势使得CY7C1370D-167AXI在高端SRAM市场中占据重要地位。

CY7C1370D-167AXI广泛应用于对数据传输速率和响应时间有严格要求的高性能电子系统中。在通信领域，它常用于网络交换机、路由器和光传输设备中作为数据包缓冲区，利用其零总线 turnaround 特性实现高速报文转发，有效避免因总线冲突导致的性能瓶颈。在电信基础设施中，该芯片可用于ATM交换机、DSLAM设备和基站基带处理单元，承担实时信令和用户数据的临时存储任务。在视频与图像处理系统中，CY7C1370D-167AXI可作为帧缓存或图像预处理缓冲器，配合FPGA或DSP实现高清视频流的实时采集与输出，满足广播级设备对低延迟和高带宽的需求。此外，在工业控制和测试测量设备中，该SRAM可用于高速数据采集系统的中间缓存，确保采样数据不会因主处理器处理延迟而丢失。军事与航空航天领域也因其高可靠性而采用此类工业级SRAM，用于雷达信号处理、飞行控制系统中的临时数据存储。得益于其同步接口和burst模式支持，该器件还适用于需要与FPGA紧密协同工作的嵌入式平台，例如SoC验证平台、协议转换器和智能网卡等。总之，凡是需要高速、低延迟、可预测访问时间的静态存储应用，CY7C1370D-167AXI都是一个极具竞争力的选择。

CY7C1370D-133AXC
　　CY7C1370D-167BGI
　　CY7C1365C-167AXI
　　CY7C1365C-133AXC
　　IS61WV25618BLL-15BLI