制造商：Infineon Technologies
　　系列：CY7C136AE
　　存储容量：4 Mbit
　　存储结构：256K × 16 / 512K × 8
　　存储类型：异步SRAM
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：36引脚SOJ
　　最大访问时间：55 ns
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL兼容
　　控制信号：CE#（片选）、OE#（输出使能）、WE#（写使能）
　　组织方式：可配置为16位或8位数据总线模式
　　封装尺寸：标准SOJ，间距0.762mm（30 mil）
　　可靠性：高抗扰性，抗辐射设计（部分批次）

CY7C136AE-55NXI具备出色的电气特性和物理稳定性，能够满足多种复杂应用场景下的需求。
　　首先，该芯片采用了先进的CMOS制造工艺，显著降低了动态和静态功耗，尤其适合对能效有严格要求的便携式或远程部署设备。其典型待机电流仅为数微安级别，而在活跃读写状态下也仅消耗几十毫安电流，有助于延长系统电池寿命并减少散热压力。
　　其次，该器件提供55纳秒的快速访问时间，能够在不依赖时钟信号的情况下实现高速数据交换，特别适用于需要确定性延迟响应的实时控制系统，例如工业PLC、电机驱动器和仪器仪表等。
　　再者，CY7C136AE-55NXI支持两种数据宽度模式——当配置为256K × 16时，提供完整的16位并行接口，适合高性能处理器直接连接；而切换至512K × 8模式后，则可以与8位微控制器或总线架构兼容，提升了系统设计的灵活性。
　　此外，该芯片具备良好的噪声抑制能力和信号完整性优化设计，所有I/O引脚均经过精心布局以减少串扰，并支持LVTTL电平接口，便于与FPGA、ASIC和其他常见数字逻辑器件无缝对接。
　　在可靠性方面，CY7C136AE-55NXI通过了严格的工业级认证测试，包括高低温循环、湿度敏感度等级评估以及长期老化试验，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。其SOJ封装形式不仅节省PCB空间，还具备较强的机械强度，能够承受多次回流焊工艺而不影响性能。
　　最后，该器件具有非易失性写保护机制（通过硬件控制信号实现），防止意外写入或数据篡改，进一步增强了数据安全性。

CY7C136AE-55NXI因其高性能、宽温域和高可靠性，被广泛应用于多个工业和技术领域。
　　在通信基础设施中，它常用于路由器、交换机和基站设备中的帧缓冲、协议处理缓存以及临时数据暂存，利用其高速异步访问能力提升数据吞吐效率。
　　在工业自动化领域，该芯片被集成于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）设备和运动控制卡中，作为程序运行时的临时变量存储区或高速采集数据的中间缓存，保障控制指令的及时响应。
　　在网络设备中，如防火墙、网关和IP摄像头，CY7C136AE-55NXI可用于图像预处理缓冲、包重组队列管理等功能模块，支持突发数据流量的快速读写操作。
　　此外，在测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和数据记录仪中，该SRAM用作采样数据的高速暂存区，确保不会因主处理器处理延迟而导致数据丢失。
　　医疗电子设备中也有应用，例如便携式监护仪和超声成像系统，利用其低功耗和稳定读写特性来保存实时生理信号。
　　航空航天与国防系统中，部分高可靠性版本的CY7C136AE器件还用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机和卫星通信终端，承担关键任务的数据缓冲功能。
　　由于其引脚定义和时序规范遵循行业标准，该芯片还可作为多种旧款SRAM的升级替代方案，帮助客户延长产品生命周期并提升系统性能。

CY7C136AV55BVXI
　　CY7C136AL-55ZSXI
　　IS61LV25616AL-55BLI
　　AS6C1008-55BIN2