制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：QDR II?
　　存储容量：144 Mbit
　　存储器类型：SRAM
　　位宽：18-bit
　　组织结构：8M x 18
　　工作电压：3.3V
　　时钟频率：200 MHz
　　数据速率：400 Mbps（每时钟周期传输4次数据）
　　访问时间：2.5 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：168-ball FBGA (13x22 mm)
　　接口类型：QDR II - 分离式读/写数据总线
　　输入/输出逻辑：HSTL Class I
　　是否铅-free：是
　　是否符合 RoHS：是

CY7C1315BV18-200BZXI 具备多项先进特性，确保其在高带宽通信系统中表现出色。首先，其四倍数据速率（QDR? II）架构允许在时钟信号的上升沿和下降沿分别传输读写数据，实现真正的双通道并发操作，读写带宽可达 7.2 Gbps（18 位 × 400 Mbps），显著优于传统异步或单数据率 SRAM。这种分离式读写总线设计避免了总线竞争问题，提高了系统的整体吞吐能力。
　　其次，该器件支持源同步时钟机制，使用独立的读数据选通（QK/QK#）和写数据选通（DK/DK#），使得接收端可以根据实际传输延迟动态对齐数据采样点，极大提升了高速信号下的数据完整性与时序裕度。配合片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可有效减少反射和串扰，特别适用于长走线或多负载布线环境。
　　再者，CY7C1315BV18-200BZXI 内部集成了锁相环（PLL）电路，用于精确倍频外部参考时钟，并生成内部高速时钟信号，保证内部操作与时钟高度同步。同时提供可编程输出驱动强度设置功能，用户可根据PCB布局和负载情况调节驱动电流，在信号质量与功耗之间取得最佳平衡。
　　此外，该芯片具备低功耗待机模式（Power-down Mode），当系统空闲时可通过控制使能信号进入低功耗状态，大幅降低静态功耗，适用于注重能效的便携式或密集型系统设计。所有控制信号均采用 HSTL（High-Speed Transceiver Logic）Class I 标准，具备良好的噪声抑制能力和抗干扰性能，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　最后，其 168-ball FBGA 封装具有较小的封装尺寸（13 mm × 22 mm）和优良的散热性能，便于高密度 PCB 布局，并支持自动光学检测（AOI）和回流焊工艺，满足现代自动化生产的需求。整体设计兼顾高性能、高可靠性与易用性，是高端网络设备内存子系统的理想解决方案。

CY7C1315BV18-200BZXI 主要应用于对数据吞吐率和响应速度有极高要求的通信与网络设备中。典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、光纤通道系统、SONET/SDH 传输设备以及无线基站中的前传和中传单元。在这些系统中，该 SRAM 被广泛用作帧缓存、队列管理、包重组和查找表存储等关键任务模块，承担高速数据流的临时存储与转发功能。
　　此外，该器件也适用于高端数字视频处理系统，如高清电视广播设备、专业级摄像机和视频服务器，其中需要快速读写图像帧或元数据信息。由于其低延迟和确定性访问特性，CY7C1315BV18-200BZXI 还可用于测试测量仪器、雷达信号处理系统和高性能计算加速卡等实时信号处理平台。
　　在工业控制领域，该芯片可用于需要高速数据采集与缓存的智能网关或边缘计算节点，尤其是在时间敏感网络（TSN）架构下，保障数据传输的确定性和及时性。结合 FPGA 或专用网络处理器（如 Broadcom StrataXGS 或 Marvell Prestera 系列），它可以构建高效的共享内存架构，支持多端口并发访问。
　　得益于其工业级温度范围和高可靠性设计，CY7C1315BV18-200BZXI 同样适用于户外通信设备、车载网络系统和轨道交通控制系统等恶劣工作环境。总之，任何需要高带宽、低延迟、高可靠性的双端口静态存储解决方案的场合，都是该器件的理想应用领域。

CY7C1315KV18-200BZXC
　　CY7C1314BV18-250BZXC
　　CY7C1316KV18-166BZXC