型号：CY7C1245KV18-400BZXC
　　制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　类型：QDR II+ SRAM
　　存储容量：144 Mbit (18Mb x 8 per port)
　　电压：1.8V ±0.15V
　　访问时间：400 ps 加速传播延迟
　　最大时钟频率：500 MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装：165-ball FBGA (15x15 mm)
　　接口类型：Synchronous, Double Data Rate
　　数据速率：1000 Mbps (DDR)
　　端口类型：Two independent ports (Port A and Port B)
　　功耗：典型值约 1.5W（取决于使用情况）
　　写入模式：Separate Byte Write Enables
　　时钟输入：Differential (LVPECL/LVDS compatible)
　　输出类型：LVDS

CY7C1245KV18-400BZXC 具备多项先进特性，使其成为高性能通信系统中理想的高速缓存解决方案。首先，其 QDR II+ 架构支持完全独立的双端口操作，允许一个端口执行读操作的同时，另一个端口进行写操作，彻底消除了传统单端口或伪双端口 SRAM 中常见的读写冲突问题。这种真正的双倍带宽能力显著提升了系统的数据吞吐效率，尤其适用于需要持续数据流处理的应用场景，如网络交换机的包缓冲、视频帧存储或实时信号处理。
　　其次，该器件采用了双沿数据传输技术（Double Data Rate, DDR），即在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据，从而使有效数据速率翻倍，达到高达 1000 Mbps 的传输速度。结合仅 400ps 的加速传播延迟，保证了极低的访问延迟和出色的响应性能。此外，芯片内置差分时钟输入（K 和 K#），兼容 LVPECL 和 LVDS 电平标准，增强了信号完整性和抗噪声能力，特别适合高频工作的稳定运行。
　　在电源管理方面，CY7C1245KV18-400BZXC 工作于 1.8V 核心电压，不仅降低了整体功耗，还减少了热耗散，提高了系统的能效比。其 CMOS 工艺结合多种低功耗设计技术，在待机或轻负载状态下可有效降低静态电流消耗。同时，该芯片支持字节写使能控制，允许对特定数据线进行选择性写入，进一步优化了数据操作的灵活性与效率。
　　可靠性方面，该器件通过了严格的工业级认证，可在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。165-ball FBGA 封装提供了优良的电气性能和散热特性，且引脚布局经过优化，便于高速布线与阻抗匹配。整体设计符合 RoHS 环保要求，适用于全球市场的电子产品出口需求。

CY7C1245KV18-400BZXC 主要应用于对带宽和延迟要求极为严苛的高端通信和网络设备中。典型应用场景包括核心路由器、多层交换机、光传输设备（OTN）、基站基带单元（BBU）、无线回传系统以及高性能计算平台中的高速缓存模块。由于其支持双端口并发读写和 DDR 数据传输，非常适合用于数据包缓冲、队列管理、流量整形和协议转换等功能模块，能够有效缓解处理器与外围设备之间的速度瓶颈。
　　此外，该芯片也广泛用于测试与测量仪器，如高速逻辑分析仪、示波器和自动测试设备（ATE），在这些设备中承担大数据量采集与临时存储任务。其高可靠性和精确时序控制能力确保了测试数据的完整性与时序准确性。在军事和航空航天领域，尽管需额外筛选，但该器件的基础性能亦可用于雷达信号处理、卫星通信终端等需要高吞吐率存储架构的系统中。
　　随着 5G 网络部署和数据中心升级的持续推进，对高速 SRAM 的需求不断增长。CY7C1245KV18-400BZXC 凭借其卓越的性能指标，能够在这些新兴基础设施中发挥关键作用，尤其是在前传和中传网络节点的数据暂存环节中表现出色。其同步接口和确定性延迟特性也使其易于集成到 FPGA 或 ASIC 控制系统中，常与 Xilinx 或 Intel（原 Altera）的高端可编程逻辑器件配合使用，构建高效的数据通路架构。

CY7C1245KV18-333BZXC
　　CY7C1244KV18-450BZXC
　　CY7C1254KV18-450BZXC