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CY7C11701KV18-400BZXC 发布时间 时间:2025/11/3 22:45:12 查看 阅读:20

CY7C11701KV18-400BZXC是Cypress Semiconductor(现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分)推出的一款高性能、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于其SyncBurst SyncLink系列。该器件专为需要高带宽、低延迟和实时数据共享的应用而设计,尤其适用于通信、网络设备、工业控制以及嵌入式系统中的高速数据缓冲场景。CY7C11701KV18采用先进的CMOS工艺制造,提供1M x 18位的存储容量,总存储空间为18兆位(2.25MB),具备真正的双端口架构,允许两个独立的处理器或控制器同时访问同一存储阵列而无需复杂的仲裁逻辑。每个端口均支持同步操作,并兼容QDR(Quad Data Rate)接口标准,能够在单个时钟周期内完成两次数据传输(上升沿和下降沿各一次),从而显著提升数据吞吐能力。该芯片工作电压为1.8V ±5%,符合现代低功耗系统的设计需求,且具有可配置的输出驱动强度、可编程边沿控制以及差分时钟输入等特性,增强了信号完整性和系统稳定性。封装形式为165球BGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适合高密度PCB布局,广泛应用于路由器、交换机、无线基站、测试测量设备等领域。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  产品系列:SyncBurst SyncLink
  存储类型:双端口SRAM
  存储容量:1M x 18 位
  组织结构:1,048,576 字 x 18 位
  供电电压:1.71V ~ 1.98V(典型值1.8V)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  接口类型:QDR-II+ 同步双端口
  最大时钟频率:400MHz
  访问时间:2.5ns(最大)
  数据速率:800 Mbps(DDR)
  时钟模式:差分时钟输入(K/K#)
  I/O 标准:HSTL Class I
  引脚数量:165
  封装类型:FBGA (11x15mm)
  每字节奇偶校验:支持
  中断标志与邮箱功能:支持
  片上终端匹配:支持

特性

CY7C11701KV18-400BZXC具备卓越的高性能同步双端口架构,专为满足高端通信和网络应用中对极高速数据交换的需求而设计。其核心特性之一是QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)接口技术,允许在时钟的上升沿和下降沿分别进行地址和数据传输,实现无延迟突发式数据流处理,有效提升系统带宽至800Mbps每数据线,非常适合要求极高吞吐量的数据路径应用。
  该器件采用真正的双端口存储阵列结构,配备两套完全独立的地址、数据和控制总线,使得两个主控单元可以并行地读写相同或不同的内存位置,极大简化了多处理器系统之间的共享内存设计。此外,内置的硬件邮箱机制和中断标志寄存器可在两个端口之间实现高效、可靠的进程间通信,避免了轮询带来的CPU资源浪费,提升了系统的响应速度与效率。
  为了增强信号完整性与系统兼容性,CY7C11701KV18集成了片上终端电阻(On-Die Termination, ODT),减少外部匹配元件数量,降低PCB复杂度,并通过差分时钟输入(K/K#)提高抗噪声能力。其可编程输出驱动强度和边沿速率控制功能进一步优化了EMI性能和信号质量,适应不同走线长度和负载条件。
  该芯片还支持每字节奇偶校验功能,可用于检测数据错误,提升系统可靠性;同时具备低功耗待机模式,在非活跃状态下自动进入节能状态,有助于延长设备运行时间和降低整体功耗。所有控制信号均与时钟同步,确保精确的时序控制和确定性的操作行为,适用于严格的实时系统环境。

应用

CY7C11701KV18-400BZXC广泛应用于需要高带宽、低延迟和可靠数据共享的高性能系统中。主要应用场景包括电信基础设施设备如核心路由器、边缘交换机和光传输网络(OTN)模块,其中它用于缓存高速数据包头信息或队列管理数据,确保流量调度的及时性和准确性。
  在无线通信领域,该芯片常用于4G LTE和5G基站的基带处理单元中,作为多个DSP或FPGA之间的共享缓冲区,支持上下行链路的数据协同处理。其双端口特性也使其成为雷达信号处理、医疗成像设备和工业自动化控制系统中多处理器架构的理想选择,允许多个处理节点无缝共享采集到的实时数据流。
  此外,该器件适用于测试与测量仪器,例如高性能逻辑分析仪或协议分析器,用于暂存大量采样数据供后续分析使用。在网络存储设备和服务器中的高速桥接芯片组之间,该SRAM也可充当临时数据交换区,提升I/O吞吐效率。由于其工业级温度范围和高可靠性设计,同样适合部署在恶劣环境下的嵌入式控制平台。

替代型号

CY7C11702KV18-400BZXC

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CY7C11701KV18-400BZXC参数

  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,DDR II+
  • 存储容量18M(512K x 36)
  • 速度400MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘