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CY7C1168KV18-400BZXC 发布时间 时间:2025/11/4 2:43:48 查看 阅读:15

CY7C1168KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies 的一部分)生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于 CY7C1168KV18 系列,具有 1 Mbit 的存储容量,组织方式为 64K x 18 位,适用于需要高带宽和低延迟数据交换的应用场景。这款 SRAM 提供了两个独立的端口,允许同时访问同一存储阵列,从而实现高效的数据通信和缓冲功能。每个端口都配备了独立的地址、数据和控制线,支持异步操作模式,并且能够在不同的时钟域下运行,非常适合用于多处理器系统、网络设备、通信接口以及实时数据处理系统中。
  CY7C1168KV18-400BZXC 采用先进的 CMOS 工艺制造,确保了高性能与低功耗的平衡。其工作电压为 1.8V,符合现代低电压电子系统的设计需求,有助于降低整体功耗并提高能效。该器件支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),可在各种严苛环境下稳定运行。封装形式为 165-TFBGA(Thin Fine-Pitch Ball Grid Array),具有较小的占板面积,适合对空间敏感的高密度 PCB 设计。此外,该芯片还具备三态输出、可配置的片选逻辑和全局时钟使能等功能,增强了系统的灵活性和可扩展性。

参数

制造商:Infineon Technologies
  产品系列:CY7C1168KV18
  存储容量:1 Mbit
  组织结构:64K x 18
  工作电压:1.8V ± 0.15V
  访问时间:4.0 ns
  最大工作频率:250 MHz
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:165-TFBGA
  引脚数:165
  接口类型:并行双端口
  数据总线宽度:18 位(每端口)
  时钟频率:支持高达 250MHz 操作
  电源电流:典型值 120mA(在 250MHz 连续读取)
  工艺技术:CMOS

特性

CY7C1168KV18-400BZXC 具备出色的高速性能和灵活的双端口架构,使其成为高性能嵌入式系统中的关键组件之一。其核心特性之一是真正的双端口设计,允许两个独立的主机或处理器同时访问相同的存储阵列而无需仲裁延迟。每个端口均配备完整的地址、数据和控制信号,支持异步读写操作,并可通过硬件信号如片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)来精确控制数据流。这种架构特别适用于需要实时数据交换的应用,例如通信桥接、图像处理缓冲、FIFO 队列管理等场景。
  该器件支持 1.8V 单电源供电,显著降低了功耗,同时兼容低电压逻辑电平,便于与现代 FPGA、DSP 和微处理器直接连接,无需额外的电平转换电路。其高速访问时间为 4.0ns,支持最高 250MHz 的工作频率,在连续读写操作中表现出优异的吞吐能力。内部采用流水线架构和预取机制,进一步提升了数据传输效率。此外,芯片集成了三态输出缓冲器,能够在不使用时将 I/O 引脚置于高阻态,防止总线冲突,提升系统稳定性。
  为了增强系统可靠性,CY7C1168KV18-400BZXC 还提供了多种功耗管理模式,包括睡眠模式和待机模式,可在空闲期间自动降低电流消耗。器件还具备可编程的中断标志位和邮箱寄存器功能,允许两个端口之间进行轻量级通信和状态同步,简化了多处理器间的协调逻辑。所有控制信号均支持 TTL/CMOS 兼容电平输入,提高了接口灵活性。最后,该芯片通过了严格的工业级温度认证,可在 -40°C 至 +85°C 范围内稳定运行,适用于工业自动化、电信基础设施和户外设备等多种严苛应用环境。

应用

CY7C1168KV18-400BZXC 广泛应用于需要高速、低延迟双端口内存的系统中。典型应用包括网络路由器和交换机中的数据包缓冲与队列管理,其中两个端口分别连接发送和接收引擎,实现无缝数据转发。在通信系统中,它可用于协议转换桥接,例如在不同总线标准(如 PCI 到 VME)之间传递信息。该芯片也常见于雷达信号处理、视频采集与显示系统,作为帧缓冲或 FIFO 缓冲区使用,支持实时图像流的暂存与调度。在多处理器架构中,该器件可作为共享内存模块,允许多个 CPU 或 DSP 核心协同工作,提升并行计算效率。此外,工业控制设备、测试测量仪器以及军事电子系统也广泛采用此类双端口 SRAM 来满足高可靠性和高性能的需求。由于其小尺寸封装和低功耗特性,该芯片同样适用于紧凑型嵌入式系统和便携式高端设备中,尤其适合对空间和能耗有严格要求的应用场景。

替代型号

CY7C1168KV18-400BZXC is a specific part from Infineon (formerly Cypress). Close alternatives include: CY7C1158KV18-400BZXC (similar series, slightly different density), CY7C1178KV18-400BZXC (higher density variant), and other members of the CY7C11xxKV18 family with compatible timing and pinout. For drop-in replacements, always consult the datasheet for pin compatibility, speed grade, and temperature range.

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CY7C1168KV18-400BZXC参数

  • 数据列表CY7C11(66,68,70,77)KV18
  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,DDR II+
  • 存储容量18M(1M x 18)
  • 速度400MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘