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CY7C1071DV33-12BAXI 发布时间 时间:2025/5/27 15:16:50 查看 阅读:9

CY7C1071DV33-12BAXI 是由 Cypress 公司生产的一款同步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用 3.3V 电源供电,具有高可靠性、低功耗和快速访问时间等特点。它广泛应用于需要高速数据处理和存储的场景,如网络设备、工业控制、通信系统等。
  这款 SRAM 的容量为 512K x 18 位,总共可提供 9Mbit 的存储空间。其封装形式为 BGA 封装,引脚数为 144,这种封装方式可以有效减少寄生电感和电容的影响,从而提升信号完整性。

参数

类型:SRAM
  容量:512K x 18
  总存储量:9Mbit
  核心电压:3.3V
  访问时间:12ns
  封装形式:BGA-144
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 电压:3.3V

特性

CY7C1071DV33-12BAXI 的主要特点是其快速的访问时间和稳定的性能表现。在 12ns 的访问时间内,能够满足大多数高速应用的需求。此外,该芯片支持突发模式操作,这使得连续数据读写操作更加高效。
  该 SRAM 还具备自动功率降低功能,在没有活动时可以进入低功耗状态,从而延长系统的续航能力。同时,其非易失性特点确保了数据的安全性和可靠性。
  CY7C1071DV33-12BAXI 提供了全面的错误检测功能,包括奇偶校验位支持,这对于关键任务型的应用非常重要。此外,其 3.3V 单电源设计简化了电路板上的电源管理需求,减少了设计复杂度。

应用

该芯片广泛应用于对速度要求较高的领域,例如路由器、交换机和其他网络设备中的缓存解决方案。另外,由于其高可靠性和大容量,也常用于工业自动化控制设备中作为临时数据存储媒介。
  在通信系统中,CY7C1071DV33-12BAXI 可以用作 FIFO 或 LUT(查找表)来优化数据流传输效率。同时,在图形处理单元或高性能计算环境中,可以用作帧缓冲区或者中间结果暂存区,提高整体运算速度。

替代型号

CY7C1071DV33-15BAXI
  CY7C1071DV33-12ACXI
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CY7C1071DV33-12BAXI参数

  • 数据列表CY7C1071DV33
  • 标准包装210
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量32M(2M x 16)
  • 速度12ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商设备封装48-FBGA(8x9.5)
  • 包装托盘