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CY7C1061DV33-10ZSXI 发布时间 时间:2025/4/29 12:27:42 查看 阅读:2

CY7C1061DV33-10ZSXI 是由 Cypress 公司生产的静态随机存取存储器(SRAM),该芯片采用 512K x 8 的存储结构,总容量为 4Mbit。这款 SRAM 芯片以其低功耗和高速度特性而闻名,广泛适用于需要高性能存储的场景。
  该型号的工作电压为 3.3V,能够以高达 10ns 的访问时间运行。它采用 ZSSOP 封装形式,这种封装具有较小的外形尺寸,适合于空间受限的设计应用。

参数

存储容量:4Mbit
  存储结构:512K x 8
  工作电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:ZSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 电压:3.3V
  数据保持时间:无限
  数据保存时间:20 年

特性

CY7C1061DV33-10ZSXI 提供了快速的数据访问能力,其 10ns 的访问时间使得它非常适合用于实时处理任务或需要高吞吐量的应用环境。
  此外,这款 SRAM 芯片具备低功耗模式,可以在待机状态下显著降低电能消耗,从而延长设备的电池寿命。
  它还支持同步和异步操作模式,提供了更高的灵活性以适应不同的系统架构需求。
  由于其可靠的性能和长数据保存时间,该芯片在工业控制、网络通信以及消费类电子产品中得到了广泛应用。

应用

CY7C1061DV33-10ZSXI 常用于以下领域:
  1. 工业自动化控制系统中的缓存和临时数据存储。
  2. 网络交换机、路由器等通信设备中的高速缓冲。
  3. 医疗设备中的数据采集与处理。
  4. 消费类电子产品如数码相机、游戏机中的临时数据存储。
  5. 测试测量仪器中的高速数据记录。

替代型号

CY7C1061DV33-12JCXI
  CY7C1061DV33-12GX
  CY7C1061DV33-12GXI
  CY7C1061DV33-10JCXI

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CY7C1061DV33-10ZSXI参数

  • 数据列表CY7C1061DV33
  • 标准包装108
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量16M (1M x 16)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装54-TSOP II
  • 包装管件
  • 其它名称428-2960-5CY7C1061DV33-10ZSXI-ND