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CY7C1049DV33-10VXI 发布时间 时间:2025/4/28 9:58:02 查看 阅读:24

CY7C1049DV33-10VXI 是由 Cypress 公司生产的一款 16K x 8 位 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,具有低功耗和高速操作的特点。它非常适合需要高可靠性和快速数据访问的应用场景。
  该芯片支持单电源供电,工作电压为 3.3V,能够满足现代电子设备对低功耗的需求。此外,其同步设计允许在时钟信号的控制下进行数据存取,从而提高系统的整体性能。

参数

容量:16K x 8位
  接口类型:同步
  工作电压(V):3.3V
  速度等级(ns):10ns
  封装类型:VFBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 电压:3.3V

特性

CY7C1049DV33-10VXI 的主要特性包括:
  1. 高速操作:具备 10 纳秒的访问时间,可满足高性能应用的需求。
  2. 低功耗:采用了先进的 CMOS 工艺,确保在工作状态下的功耗较低。
  3. 同步 SRAM:通过同步时钟输入实现数据传输的精确控制。
  4. 宽温度范围:能够在 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围内正常运行。
  5. 封装紧凑:使用 VFBGA 封装形式,适合空间受限的设计。
  6. 数据保持功能:即使在待机模式下也能保留存储的数据。

应用

这款 SRAM 芯片广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的场景中,例如:
  1. 网络通信设备:路由器、交换机中的数据包缓冲。
  2. 图形处理单元(GPU):作为帧缓冲或纹理缓存。
  3. 工业自动化:用于实时数据采集和处理。
  4. 医疗设备:如超声波成像设备中的图像数据缓存。
  5. 军事与航天:由于其可靠性,常被用于高精度仪器中。

替代型号

CY7C1049DV33-12VXI
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CY7C1049DV33-10VXI参数

  • 数据列表CY7C1049DV33
  • 标准包装19
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳36-BSOJ
  • 供应商设备封装36-SOJ
  • 包装管件
  • 其它名称428-1981-5CY7C1049DV33-10VXI-ND