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CY7C1049BL-17VC 发布时间 时间:2025/11/3 23:20:17 查看 阅读:8

CY7C1049BL-17VC是一款由Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高性能的异步SRAM系列,采用标准的4Mbit(256K × 16位)组织结构,广泛应用于需要快速数据访问和可靠存储性能的嵌入式系统与通信设备中。CY7C1049BL-17VC工作电压为3.3V,具备标准的并行接口,支持全静态操作,无需刷新周期,确保了在各种工作条件下的数据稳定性。其封装形式为TQFP-68(薄型四边引线扁平封装),适合高密度PCB布局,并具有良好的散热性能和抗干扰能力。该芯片设计用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),能够在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、网络设备、路由器、交换机以及测试测量仪器等应用场景。CY7C1049BL-17VC通过优化内部电路结构,在保证高速读写的同时降低了功耗,尤其在待机模式下电流消耗极低,有助于提升系统的整体能效表现。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  系列:CY7C1049BL
  存储容量:4 Mbit
  存储架构:256K × 16
  接口类型:并行
  供电电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:17 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装/外壳:TQFP-68
  引脚数:68
  最大读取电流:35 mA
  待机电流(ISB):≤ 4 μA
  输入逻辑电平:TTL/CMOS 兼容
  写使能信号:WE#, CE#, OE# 控制
  数据保持电压:≥ 2.0V
  可靠性:写入耐久性无限次
  封装细节:表面贴装型

特性

CY7C1049BL-17VC具备卓越的高速存取能力,其典型访问时间为17纳秒,能够满足对实时性要求较高的系统需求,如高速缓存、帧缓冲或协议处理中的临时数据存储。该芯片采用全静态CMOS设计,所有控制信号均可保持静态电平而不会丢失数据,极大简化了系统时序设计,并允许处理器在任意时刻暂停操作而不影响SRAM内容。
  其双片选结构(CE1# 和 CE2)支持灵活的片外译码逻辑,便于构建多芯片存储系统或实现存储空间扩展。写使能(WE#)、输出使能(OE#)和片选(CE#)三个独立控制信号提供了精确的数据流控制机制,确保读写操作的安全性和可靠性。当多个SRAM共用同一总线时,三态输出可有效避免总线冲突。
  在功耗管理方面,CY7C1049BL-17VC具有低功耗待机模式,当所有片选信号处于非激活状态时,自动进入待机模式,此时电源电流可降至微安级别,显著延长电池供电系统的续航时间。同时,其3.3V低电压供电设计不仅降低了动态功耗,还提高了噪声容限,增强了系统稳定性。
  该器件支持TTL和CMOS电平兼容输入,可以无缝对接多种微控制器、DSP和FPGA等主控芯片,提升了系统集成度。内部采用先进的制造工艺,具有高抗噪能力和出色的ESD保护性能,能够在复杂电磁环境中稳定运行。此外,TQFP-68封装提供优良的热传导性能和机械强度,适用于自动化贴片生产流程,保障大批量制造的一致性和良率。

应用

CY7C1049BL-17VC被广泛应用于需要高速、可靠、非易失性辅助存储的各种电子系统中。在通信领域,它常用于路由器、交换机和基站设备中作为包缓冲区或队列管理存储单元,支持快速数据转发和流量调度。在工业自动化控制系统中,该SRAM可用于PLC模块、运动控制器或HMI设备中进行中间数据暂存和任务调度。
  在医疗设备方面,例如超声成像仪或病人监护系统,CY7C1049BL-17VC可用于图像帧缓冲或实时信号处理过程中的临时数据保存,确保采集数据不丢失且响应迅速。在测试与测量仪器如示波器、逻辑分析仪中,其高速读写特性使其成为采集缓存的理想选择。
  此外,该芯片也常见于军事和航空航天电子系统中,因其具备宽温工作能力和高可靠性,适合部署在极端环境下的任务关键型设备。消费类高端设备如数字视频录像机(DVR)、机顶盒等也可能采用此类SRAM来提升系统响应速度和多任务处理能力。由于其标准接口和成熟生态,开发人员可轻松将其集成到基于ARM、PowerPC、MIPS或专用ASIC的平台中,缩短产品开发周期。

替代型号

CY7C1049DV33L-17ZSXC
  CY7C1049GN30-17VC
  IS61LV25616AL-17T
  AS6C1008-55SCN2

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CY7C1049BL-17VC参数

  • 标准包装19
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度17ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳36-BSOJ
  • 供应商设备封装36-SOJ
  • 包装管件
  • 其它名称428-1028