制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　系列：CY7C1041CV33
　　存储器类型：SRAM
　　存储器格式：静态 RAM
　　存储容量：256K × 16 位
　　存储容量（比特）：4,194,304 位
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　最大访问时间：100 ns
　　工作电流（最大）：35 mA
　　待机电流（最大）：200 μA
　　接口类型：并行异步
　　组织结构：262,144 字 × 16 位
　　数据总线宽度：16 位
　　地址总线宽度：18 位
　　引脚数：44
　　封装类型：SOJ-44
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　安装方式：表面贴装
　　读写控制：OE#（输出使能）、WE#（写使能）、CE1# / CE2（片选）
　　封装宽度：0.55in（14mm）

CY7C1041CV33-10ZC 具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。
　　首先，该器件采用全静态核心架构，意味着只要供电持续存在，数据即可永久保持，且无需动态刷新机制，这不仅降低了系统复杂性，还减少了CPU或控制器在内存维护上的负担。其256K × 16位的组织结构提供了高达4Mbit的存储容量，适合用于存储程序代码、实时数据缓冲或图形帧缓存等应用场景。100ns的快速访问时间确保了在高频系统总线下仍能实现无缝读写操作，满足了对响应速度敏感的设计需求。
　　其次，该SRAM支持低功耗管理模式。当CE1为高电平或CE2为低电平时，器件进入待机模式，此时电源电流大幅下降至仅200μA，非常适合电池供电或节能型系统。而通过激活睡眠模式（由特定片选组合触发），可进一步减少漏电流，延长设备续航时间。
　　再者，CY7C1041CV33-10ZC具备三态输出功能，允许将多个存储器或其他外设连接到同一数据总线上，通过片选逻辑实现分时复用，提高了系统集成度和资源利用率。所有输入引脚具有抗闩锁设计，并提供静电放电（ESD）保护，增强了器件在恶劣电磁环境下的鲁棒性。
　　最后，该芯片采用标准44引脚SOJ封装，符合JEDEC标准尺寸，易于PCB布局与焊接，尤其适合波峰焊和回流焊工艺。其LVTTL兼容输入输出电平确保与主流微处理器如ARM、PowerPC、ColdFire以及各类DSP芯片无缝对接。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，适用于长期运行的工业控制系统、网络设备及医疗仪器等领域。

CY7C1041CV33-10ZC 广泛应用于需要高速、稳定、低延迟数据存取的电子系统中。
　　在通信领域，它常被用于路由器、交换机和基站设备中作为数据包缓冲区或协议处理缓存，利用其快速读写能力和并行接口优势，提升数据吞吐效率。在工业自动化系统中，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）或运动控制卡中存储实时I/O状态、中间计算结果或配置参数，保障控制系统响应的及时性和准确性。
　　此外，在嵌入式系统和高端消费类电子产品中，如数字视频 recorder（DVR）、医疗成像设备和测试测量仪器，CY7C1041CV33-10ZC 可作为图像帧缓存或临时数据暂存区，配合DSP或FPGA实现高速信号处理。由于其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），也适用于户外或高温环境下运行的设备，如交通监控系统、车载电子装置和远程传感器节点。
　　在军事与航空航天领域，尽管非辐射加固型号不直接用于太空任务，但其高可靠性设计使其可用于地面支持设备、雷达信号处理单元或飞行模拟器中。同时，该器件也被广泛用于各种开发板和原型验证平台，作为通用扩展内存模块，帮助工程师快速搭建和调试系统架构。其成熟的供应链和技术文档支持，使得设计导入周期短，有利于产品快速上市。

IS61LV25616-10BL