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CY7C1020D-10ZSXIT 发布时间 时间:2025/11/3 10:22:43 查看 阅读:23

CY7C1020D-10ZSXIT是赛普拉斯(现为英飞凌科技)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于异步SRAM系列,具有1M x 8位的存储容量,即总容量为8兆位(8 Mbit),组织形式为地址线19位、数据线8位。该芯片采用高性能的CMOS技术制造,具备低功耗与高可靠性的特点,适用于需要快速数据存取且对时序要求不苛刻的应用场景。CY7C1020D-10ZSXIT广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统中作为缓存或临时数据存储单元。其封装形式为44引脚SOJ(Small Outline J-leaded Package),符合工业标准尺寸,便于PCB布局和自动化贴装。该器件的工作电压为3.3V ± 0.3V,保证在宽温度范围内稳定运行,支持商业级和工业级工作温度范围。此外,该芯片具备双向三态输出,可直接连接到数据总线上,支持多设备共享总线架构,提升了系统设计的灵活性。
  该型号后缀中的“-10”表示最大访问时间为10纳秒,意味着芯片能够在10ns内完成地址建立到数据输出的有效响应,适合高频操作环境。而“ZS”代表无铅封装,“XI”表示扩展温度范围(-40°C至+85°C),“T”则表明该器件为卷带包装,适用于自动化贴片生产线。CY7C1020D-10ZSXIT具备出色的抗干扰能力和稳定性,在电磁干扰较强的工业现场仍能保持可靠的数据读写性能。由于其异步接口特性,无需时钟同步信号,控制逻辑简单,仅需片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)三个控制信号即可实现完整的读写操作,降低了系统控制器的设计复杂度。

参数

型号:CY7C1020D-10ZSXIT
  制造商:Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
  产品类型:SRAM
  存储容量:8 Mbit
  组织结构:1 M x 8
  访问时间:10 ns
  供电电压:3.3 V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:44-SOJ
  引脚数:44
  接口类型:异步
  读取周期时间:10 ns
  工作模式:字节模式
  最大待机电流:ICC1 = 2 mA(典型值)
  最大工作电流:ICC = 60 mA(典型值)
  控制信号:CE, OE, WE
  输出类型:三态缓冲输出
  数据总线宽度:8-bit
  安装方式:表面贴装

特性

CY7C1020D-10ZSXIT具备卓越的高速访问能力,其典型访问时间为10ns,能够满足大多数实时数据处理系统的性能需求。该器件采用先进的CMOS工艺制造,不仅实现了高速运行,同时有效控制了动态和静态功耗。在待机状态下,其电流消耗极低,典型值仅为2mA,有助于延长电池供电设备的工作时间或降低整体系统能耗。在全速读写操作下,最大工作电流约为60mA,相较于同类高速SRAM产品表现出良好的能效比。该芯片内部结构经过优化设计,确保地址建立、片选延迟和输出使能响应之间的协调性,从而保障在复杂电磁环境下依然能够提供稳定可靠的数据传输服务。
  该SRAM器件支持完整的异步读写功能,通过三个核心控制信号——片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)来管理数据流动。当CE和OE有效时,器件进入读取模式,数据从指定地址输出至8位数据总线;当CE和WE有效时,则执行写入操作,将数据总线上的数据锁存至目标地址。这种控制机制简化了与微处理器、微控制器或FPGA等主控芯片的接口设计,无需复杂的时序匹配电路或专用存储控制器。此外,所有输入/输出引脚均具备静电放电(ESD)保护结构,通常可达±2000V HBM等级,增强了器件在运输、装配及运行过程中的安全性。
  CY7C1020D-10ZSXIT采用44引脚SOJ封装,引脚间距为1.27mm,符合JEDEC标准,兼容主流PCB设计工具库,并支持回流焊和波峰焊等多种焊接工艺。该封装具有良好的散热性能和机械强度,适合长期运行于高温、振动等严苛工业环境中。器件还通过了多项国际环保认证,符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,适应全球绿色电子产品发展趋势。出厂前每颗芯片都经过严格的电气测试和老化筛选,确保批次一致性和长期使用的可靠性。

应用

CY7C1020D-10ZSXIT因其高速、高可靠性和易用性,被广泛应用于多个工业和技术领域。在通信基础设施中,它常用于路由器、交换机和基站设备中的帧缓冲区或协议处理缓存,以支持高速数据包的临时存储与转发。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)或人机界面(HMI)设备中,作为实时变量存储区,提升系统响应速度。在网络视频监控设备中,该SRAM可用于图像采集模块的预处理缓存,协助完成图像压缩前的数据暂存任务。
  此外,该器件也常见于测试与测量仪器,如示波器、频谱分析仪等高端设备中,用于高速采样数据的临时保存,以便后续处理或显示。在医疗电子设备中,例如超声成像系统或患者监护仪,CY7C1020D-10ZSXIT可作为关键信号路径中的缓冲存储器,确保生理信号采集的连续性和完整性。航空航天与国防领域的一些嵌入式系统也会选用此类工业级温度范围的SRAM,用于雷达信号处理或飞行控制计算机中。由于其非易失性虽不如Flash,但读写无限次且无延迟,因此特别适合频繁读写、不允许中断的关键应用场景。随着FPGA和DSP系统的普及,该类异步SRAM也成为协处理器外部存储的优选方案之一,尤其在没有集成大容量片上RAM的老款FPGA设计中尤为常见。

替代型号

AS6C1008-55SCN2

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CY7C1020D-10ZSXIT参数

  • 数据列表CY7C1020D
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量512K (32K x 16)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装带卷 (TR)