您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CY7C1018DV33-10VXI

CY7C1018DV33-10VXI 发布时间 时间:2025/11/4 5:21:23 查看 阅读:20

CY7C1018DV33-10VXI是Cypress Semiconductor(现属于Infineon Technologies)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高性能的异步SRAM系列,采用3.3V供电电压,适用于需要快速数据存取和高可靠性的嵌入式系统与通信设备。CY7C1018DV33-10VXI具有128K x 8位的存储容量,即总存储空间为1兆比特(1Mbit),组织方式为131,072字节。该芯片采用标准的并行接口设计,具备地址输入、数据输入/输出以及控制信号线,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持异步读写操作。其访问时间为10纳秒,意味着能够在极短时间内完成数据读取或写入,适合对时序要求严格的实时应用场合。该器件封装形式为44引脚SOJ(Small Outline J-leaded Package),符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),保证在恶劣环境下稳定运行。CY7C1018DV33-10VXI广泛应用于网络设备、电信基础设施、工业控制、测试测量仪器及消费类电子产品中作为缓存或临时数据存储单元。由于其非易失性虽不如Flash,但读写速度远超动态存储器,因此在需要频繁高速访问的小容量存储场景中表现出色。此外,该芯片兼容多种主流微处理器和微控制器的接口标准,便于系统集成与升级替换。

参数

型号:CY7C1018DV33-10VXI
  制造商:Infineon Technologies (原Cypress)
  存储容量:128K x 8位 (1Mbit)
  供电电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44-pin SOJ
  接口类型:并行异步
  读写控制信号:CE, OE, WE
  组织结构:131,072 字节
  功耗类型:低功耗CMOS
  时钟频率:无(异步操作)
  I/O电压兼容性:TTL/CMOS兼容

特性

CY7C1018DV33-10VXI具备多项优异的技术特性,使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。
  首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,显著降低了静态和动态功耗,尤其在待机或低活动状态下表现出良好的节能效果,有助于延长电池供电设备的工作时间,并减少散热需求。其10ns的快速访问时间确保了数据读写的高效性,能够满足高速微处理器或DSP核心对外部存储器的严苛时序要求,避免因存储瓶颈导致的整体性能下降。
  其次,该SRAM支持全异步操作模式,无需外部时钟同步即可完成读写动作,简化了系统设计复杂度,提高了设计灵活性。通过片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)三线控制逻辑,可精确管理数据流方向与存取时机,实现对存储区域的精细控制。此外,所有输入/输出引脚均具备抗静电(ESD)保护功能,提升了器件在实际应用中的鲁棒性和可靠性。
  再者,CY7C1018DV33-10VXI采用工业级温度规格,在-40°C到+85°C范围内均可稳定工作,适用于户外通信基站、工业自动化设备等环境条件恶劣的应用场景。其44引脚SOJ封装不仅节省PCB空间,还便于手工焊接与返修,相较于TSOP等薄型封装更利于中小批量生产使用。
  最后,该器件具有高可靠性和长生命周期支持,Infineon持续提供技术支持与供货保障,适合用于医疗设备、航空航天、铁路交通等对元器件寿命和稳定性有严格要求的领域。同时,其引脚布局遵循行业通用规范,方便与其他厂商同类产品进行布局兼容设计。

应用

CY7C1018DV33-10VXI因其高速、低功耗和高可靠性的特点,被广泛应用于多个技术领域。
  在通信设备中,它常用于路由器、交换机和基站模块中作为数据缓冲区,用于暂存高速传输的数据包,确保信息处理的连续性和实时性。在工业控制系统中,该SRAM可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制卡中,作为程序运行时的临时变量存储空间,提升响应速度和执行效率。
  在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪中,CY7C1018DV33-10VXI可用于高速采集数据的缓存,支持大吞吐量的数据流处理,保障测试精度与时效性。在消费类电子产品中,例如高端打印机、多功能办公设备,该芯片可用于图像数据的临时存储与处理,优化打印速度与画质表现。
  此外,在军事与航空航天电子系统中,由于其宽温工作能力和长期供货保障,该器件也适用于雷达信号处理、飞行控制系统等关键子系统中作为高速缓存单元。在医疗成像设备如超声仪、内窥镜系统中,可用于帧缓冲存储,支持高分辨率图像的快速刷新与显示。
  由于其并行接口特性,该芯片特别适合与传统微处理器(如ARM9、ColdFire、PowerPC等)或FPGA配合使用,在无需DDR复杂布线的设计中提供简洁高效的存储解决方案。对于需要快速原型开发或小批量生产的项目,该SRAM提供了良好的可获取性和设计便利性。

替代型号

IS61LV1288-10T\nIS62WV1288-10TLI\nM2GS1288TA-10KG6\nCY7C1019DV33-10ZSXI

CY7C1018DV33-10VXI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CY7C1018DV33-10VXI资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CY7C1018DV33-10VXI参数

  • 数据列表CY7C1018DV33
  • 标准包装23
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-BSOJ
  • 供应商设备封装32-SOJ
  • 包装管件
  • 其它名称428-1963-5CY7C1018DV33-10VXI-ND