型号：CY7B991-5JCT
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
　　类型：异步静态RAM (SRAM)
　　密度：16 Kbit (2K x 8)
　　电压范围：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：55 ns
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-pin PLCC
　　组织结构：2K x 8
　　读取周期时间：55 ns
　　写入周期时间：55 ns
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　最大存取时间：55纳秒
　　供电电压典型值：5V
　　待机电流：≤ 3 mA（典型）
　　运行电流：≤ 40 mA（典型）

CY7B991-5JCT具备优异的高速存取性能，其最大访问时间为55纳秒，能够在极短时间内完成数据的读取与写入操作，满足高速数据处理系统的需求。该芯片采用CMOS工艺制造，在保证高速运行的同时实现了较低的功耗表现，尤其在待机模式下电流消耗可低至3mA以下，有助于延长系统整体的能源效率和使用寿命。
　　该器件支持标准的异步SRAM接口协议，兼容广泛的微处理器和控制器架构，无需复杂的时序配置即可实现即插即用。其地址总线宽度为11位（A0-A10），可寻址2K个存储单元，每个单元8位宽，构成2K x 8的存储结构，总计16Kbit容量。数据总线为8位双向设计，支持双向缓冲驱动，确保数据传输的稳定性和抗干扰能力。
　　CY7B991-5JCT具备三个关键控制引脚：片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）。当CE有效时，芯片被激活；结合OE和WE的状态决定当前是读操作还是写操作。这种三控制线机制提供了灵活的操作控制，并能有效防止误操作导致的数据损坏。此外，所有输入端均内置上拉或下拉电阻，增强了噪声抑制能力和信号稳定性。
　　该芯片采用44引脚PLCC封装，引脚间距为1.27mm，便于手工焊接和自动化贴装，适用于多种PCB布局需求。PLCC封装还具备良好的散热性能和机械强度，适合在振动或温度变化较大的环境中使用。由于其工作电压为5V，完全兼容TTL电平系统，可以直接与传统的微控制器、FPGA或ASIC连接而无需额外的电平转换电路。
　　CY7B991-5JCT经过严格的质量测试和老化筛选，符合工业标准的可靠性要求，具备高抗辐射性和长期运行稳定性，适用于需要长时间连续运行的关键应用场合。其内部电路设计优化了开关瞬态响应，减少了电源波动引起的误触发风险，进一步提升了系统的鲁棒性。

CY7B991-5JCT广泛应用于需要高速、小容量、低延迟存储的嵌入式系统中。常见用途包括网络通信设备中的数据缓冲区存储，例如路由器、交换机和网桥等，用于临时存放待转发的数据包信息。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）或人机界面（HMI）设备中作为中间数据暂存单元，支持快速响应现场传感器输入和执行器输出指令。
　　此外，该器件也常用于测试测量仪器，如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，作为采样数据的高速缓存，提升仪器的数据采集和处理速度。在医疗电子设备中，例如便携式监护仪或超声成像系统，CY7B991-5JCT可用于图像帧缓冲或实时生理信号的暂存，保障关键数据不丢失。
　　在消费类电子产品中，尽管大容量DRAM更为普遍，但在一些对成本敏感且需要确定性访问延迟的小型设备中，如打印机、POS终端和智能卡读写器，CY7B991-5JCT仍具有应用价值。其5V供电特性使其特别适用于仍在使用传统微控制器（如8051架构）的设计项目中。
　　另外，由于其异步接口的简洁性，该芯片也被用于教学实验平台和电子工程实训套件中，帮助学生理解存储器的基本工作原理和总线时序控制。在FPGA原型验证系统中，CY7B991-5JCT可以作为外部扩展RAM使用，弥补FPGA内部Block RAM资源不足的问题，支持更大规模的数据处理任务。

CY7B991-55JCT
　　CY7C199-15JC
　　IS61C256AH-15JL
　　AS7C256A-15TIN
　　CY7B994V-55JC