CY62256VNLL-70SNXCT 是 Cypress Semiconductor 公司生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有高速、低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于需要快速数据访问的场景。
这款 SRAM 的容量为 256K x 8 位,采用 CMOS 工艺制造,工作电压范围为 4.5V 至 5.5V。它具有同步写入功能,支持字节宽度的数据传输,适用于工业、通信和消费类电子产品中的缓存和临时数据存储应用。
容量:256K x 8位
接口类型:并行
封装形式:TSSOP
工作电压:4.5V 至 5.5V
工作电流:10mA(典型值)
待机电流:2μA(最大值)
访问时间:70ns
数据保留时间:无限
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数量:32
CY62256VNLL-70SNXCT 提供了多种优秀的性能特点:
1. 高速运行能力,其访问时间为 70 纳秒,确保在需要快速数据处理的应用中表现优异。
2. 超低待机功耗设计,待机电流仅为 2 微安,非常适合电池供电设备。
3. 强大的抗噪能力和稳定性,即使在恶劣环境下也能保持数据完整性。
4. 支持同步写入操作,提高了数据传输效率和可靠性。
5. 采用 TSSOP 封装形式,具有小型化和高效散热的特点,便于集成到紧凑型电路板设计中。
6. 工作温度范围广,能够适应从极寒到高温的各种环境条件。
CY62256VNLL-70SNXCT 主要用于以下领域:
1. 工业控制:如 PLC 和数据采集系统中的高速缓存。
2. 通信设备:路由器、交换机和其他网络设备中的临时数据缓冲。
3. 消费类电子产品:打印机、扫描仪和数码相机等设备中的图像处理缓存。
4. 嵌入式系统:作为微控制器或 DSP 的外部扩展存储器,提供更大的数据处理空间。
5. 测试测量仪器:示波器和频谱分析仪等设备中的实时数据存储组件。
CY62256VNL-70SNI, IS62C2568AL-70TI, AS6C256-55JC