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CY62256LL-70PXC 发布时间 时间:2025/12/25 21:32:31 查看 阅读:13

CY62256LL-70PXC是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速、低功耗的异步SRAM产品系列,广泛应用于需要可靠数据存储和快速访问的嵌入式系统与工业控制设备中。CY62256LL-70PXC的容量为32K x 8位,即总存储容量为256 Kbit(32KB),采用并行接口设计,支持字节操作,适用于多种微处理器和微控制器系统的外部存储扩展。该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,适合于3.3V供电系统,在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定运行,具备出色的环境适应能力。封装形式为44引脚PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),具有良好的焊接可靠性和散热性能,便于在PCB上进行表面贴装。CY62256LL-70PXC以其高可靠性、长生命周期和稳定的供货能力著称,常用于通信设备、医疗仪器、自动化控制系统以及航空航天等对元器件品质要求极高的领域。

参数

型号:CY62256LL-70PXC
  制造商:Infineon Technologies
  存储容量:32K x 8位(256 Kbit)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  访问时间:70ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:44引脚PLCC
  接口类型:并行异步
  组织结构:32,768 字 x 8 位
  读写模式:异步读/写操作
  功耗类型:低功耗CMOS技术
  输出使能(OE):支持
  片选信号(CE):支持双片选(CE1、CE2)
  写使能(WE):支持
  封装尺寸:11.51mm x 11.51mm x 3.81mm
  引脚间距:1.27mm
  无铅状态:符合RoHS标准

特性

CY62256LL-70PXC采用先进的CMOS制造工艺,具备卓越的电气性能和稳定性,能够在宽电压范围内保持高效运行。其70纳秒的快速访问时间确保了在高频率数据交换场景下的响应速度,满足大多数实时系统的需求。该SRAM芯片支持全静态操作,无需刷新周期,简化了系统设计并降低了功耗。器件内部集成了三态输出缓冲器,允许直接连接到双向数据总线,提升了系统集成度。双片选(CE1、CE2)逻辑设计增强了地址解码灵活性,便于多存储体配置或与其他外设共存于同一总线上。在待机模式下,通过将片选信号置为非激活状态,可显著降低功耗,典型待机电流仅为数微安级别,适用于电池供电或节能型应用。
  CY62256LL-70PXC还具备高抗干扰能力和EMI兼容性,能在复杂电磁环境中保持数据完整性。其PLCC封装不仅提供良好的机械强度和热稳定性,而且支持JTAG边界扫描测试,方便生产过程中的质量检测与故障排查。所有输入引脚均具备施密特触发器特性,提高了噪声容限,防止因信号抖动导致误操作。此外,该器件经过严格的老化测试和可靠性验证,具备超过100万次的读写耐久性,并可在断电后立即恢复数据读取(只要电源恢复)。这些特性使其成为工业自动化、网络路由器、工业HMI、POS终端及远程监控设备中的理想选择。由于其停产前长期供货的历史背景,许多现有设备仍在使用该型号,因此在备件替换和维修市场中仍具重要地位。

应用

CY62256LL-70PXC被广泛应用于各类需要高速、可靠、非易失性无关数据暂存的电子系统中。在工业控制领域,它常作为PLC(可编程逻辑控制器)、DCS(分布式控制系统)和智能传感器的数据缓存单元,用于临时保存采集数据、运行参数或中间计算结果。在通信基础设施中,该芯片用于接入网设备、交换机和路由器中作为协议处理缓冲区,支持Ethernet、TDM和串行通信协议的数据暂存。其稳定的时序特性和宽温工作能力也使其适用于车载电子系统,如车载诊断设备(OBD)、GPS导航模块和车载信息娱乐系统中的辅助存储。
  在医疗电子方面,CY62256LL-70PXC可用于病人监护仪、便携式超声设备和血糖仪等对数据安全性要求高的场合,确保关键生命体征数据不会因存储延迟而丢失。此外,在测试与测量仪器(如示波器、频谱分析仪)中,该SRAM用于波形采样数据的快速暂存,配合FPGA或DSP实现高速信号处理。由于其引脚兼容性强,也可用于老旧设备的升级维护,替代早期类似容量的SRAM型号而不需重新设计PCB。在军事与航空航天领域,部分经过筛选的版本可用于雷达信号处理板卡、飞行控制计算机和卫星遥测系统中,承担关键任务数据的临时存储功能。

替代型号

IS61WV2568EBLL-70BLL

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CY62256LL-70PXC参数

  • 标准包装14
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-DIP(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-DIP
  • 包装管件
  • 其它名称428-1748-5CY62256LL-70PXC-ND